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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13002Bトランジスター(NPN)を
力の切換えの適用
印が付いていること
13002B=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
XXX=Code
発注情報
部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
3DD13002B | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
3DD13002B-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価(通知がなければT =25 Š)
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
VCBO | コレクター基盤の電圧 | 600 | V |
VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 400 | V |
VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
IC | 連続的なコレクター流れ- | 0.8 | A |
PC | コレクターの電力損失 | 0.9 | W |
TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
Tstg | 保管温度 | -55 | 150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
変数 |
記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 |
単位 |
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | IC=100μA、すなわち=0 | 600 | V | ||
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO | IC=1mA、IB=0 | 400 | V | ||
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | すなわち= 100μA、IC=0 | 6 | V | ||
コレクタ遮断電流 |
ICBO | VCB= 600V、すなわち=0 | 100 | µA | ||
ICEO | VCE= 400V、IB=0 | 100 | µA | |||
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 6 V、IC=0 | 100 | µA | ||
Dc cのurrent利益 |
hFE1 | VCE= 10 V、IC=200mA | 9 | 40 | ||
hFE2 | VCE= 10 V、IC=0.25mA | 5 | ||||
コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE (坐る) | IC=200mA、IB=40mA | 0.5 | V | ||
基盤エミッターの飽和電圧 | VBE (坐る) | IC=200mA、IB=40mA | 1.1 | V | ||
転移の頻度 |
fT |
VCE=10V、IC=100mA f =1MHz |
5 |
MHz |
||
落下時間 | tf |
IC=1A、IB1=-IB2=0.2A VCC=100V |
0.5 | µs | ||
貯蔵時間 | ts | 2.5 | µs |
範囲 | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
典型的な特徴
TO-92パッケージの輪郭次元
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
分 | 最高 | 分 | 最高 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
Φ | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |