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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA42トランジスター（NPN）を
高圧
印が付いていること
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| A42 | TO-92 | 大きさ | 10000 |
| A42-TA | TO-92 | テープ | 2000年 |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 310 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 305 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 5 | V |
| I C | 連続的なCurren tコレクター- | 200 | mA |
| I CM | 脈打つコレクター流れ- | 500 | mA |
| PC | コレクターの電力損失 | 625 | MW |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55-150 | ℃ |
| RӨJA | 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | 200 | ℃ /mW |
| RӨJC | 熱抵抗、場合への接続点 | 83.3 | ℃ /mW |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=100uA、すなわち=0 | 310 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC=1mA、IB=0 | 305 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=100ΜA、IC=0 | 5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=200V、すなわち=0 | 0.25 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=5V、IC=0 | 0.1 | μA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=10V、IC=1mA | 60 | |||
| hFE （2） | VCE=10V、IC=10mA | 80 | 250 | |||
| hFE （3） | VCE=10V、IC=30mA | 75 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=20mA、IB=2mA | 0.2 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=20mA、IB=2mA | 0.9 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=20V、IC=10mA、f=30MHZ | 50 | MHz |
| ランク | A | B | C |
| 範囲 | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |