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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA94トランジスター（PNP）を
Ÿ高いDCの現在の利益および大きい現在の機能
印が付いていること
M28S=Deviceコード
固体は形成の混合装置をdot=Green、
どれも、正常な装置
hFEのZ=Rank、XXX=Code
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| M28S | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| M28S-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | パラグラフのメートル | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 20 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 1 | A |
| PD | コレクターの電力損失 | 625 | MW |
| R0 JA | 上昇温暖気流は包囲されたにance f romの接続点に抵抗します | 200 | Š/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | Š |
| Tstg | 保管温度 | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC= 0.1mA、すなわち=0 | 40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC=1mA、IB=0 | 20 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=0.1MA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=40V、すなわち=0 | 1 | µA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=20V、IB=0 | 5 | µA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=5V、IC=0 | 0.1 | µA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=1V、IC=1mA | 290 | |||
| hFE （2） | VCE=1V、IC=100mA | 300 | 1000 | |||
| hFE （3） | VCE=10V、IC=300mA | 300 | ||||
| hFE （4） | VCE=1V、IC=500mA | 300 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=600mA、IB=20mA | 0.55 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=10V、すなわち=50mA、f=30MHz | 100 | MHz |
| ランク | B | C | D |
| 範囲 | 300-550 | 500-700 | 650-1000 |
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |