シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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D965 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター高性能 

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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D965 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター高性能 

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :D965
VCBO :42V
VCEO :22v
VEBO :6v
製品名 :半導体の三極管のタイプ
コレクターの電力損失 :750mW
して、TJ :150Š
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製品の説明を表示

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD965トランジスター(NPN)を

 

 

特徴

Ÿのオーディオ・アンプ

カメラのŸのフラッシュの単位

Ÿの切換え回路

 

 

印が付いていること

 

D965=Deviceコード

固体は形成の混合装置をdot=Green、

どれも、正常な装置

hFEのZ=Rank、XXX=Code

 

D965 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター高性能 

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
D965 TO-92 大きさ 1000pcs/Bag
D965-TA TO-92 テープ 2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号 パラグラフのメートル 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 42 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 22 V
VEBO エミッター基盤の電圧 6 V
IC 連続的なコレクター流れ- 5 A
PD コレクターの電力損失 750 MW
R0 JA 上昇温暖気流は包囲されたにance f romの接続点に抵抗します 166.7 Š/W
Tj 接合部温度 150 Š
Tstg Stのorageの温度 -55 ~+150 Š

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

 

変数 記号 テスト条件 TYP MAX 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=0.1mA、すなわち=0 42     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC=1mA、IB=0 22     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= 10µA、IC=0 6     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB=30V、すなわち=0     0.1 µA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB=6V、IC=0     0.1 µA

 

DCの現在の利益

hFE (1) VCE=2V、IC= 0.15 mA 150      
hFE (2) VCE= 2V、IC = 500 mA 340   2000年  
hFE (3) VCE=2V、IC = 2A 150      
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=3000mA、IB=100 mA     0.35 V
転移の頻度 fT VCE=6V、IC=50mA、f=30MHz   150   MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランク R T V
範囲 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

典型的な特徴

 

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 パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 3.300 3.700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4.300 4.700 0.169 0.185
D1 3.430   0.135  
E 4.300 4.700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2.440 2.640 0.096 0.104
L 14.100 14.500 0.555 0.571
0   1.600   0.063
h 0.000 0.380 0.000 0.015

 

 

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