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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA94トランジスター（PNP）を
高い絶縁破壊電圧
印が付いていること
A94=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
hFEのZ=Rank
XXX=Code
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| A94 | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| A94-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コル島のector基盤の電圧 | -400 | V |
| VCEO | コル島のectorエミッターの電圧 | -400 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
| IC | 連続的なコル島のectorの流れ- | -0.2 | A |
| ICM | 脈打つコル島のectorの流れ- | -0.3 | A |
| PC | コル島のectorの電力損失 | 625 | MW |
| RθJA | 上昇温暖気流は接続点からの包囲されたにanceに抵抗します | 200 | ℃ /W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=-100ΜA、すなわち=0 | -400 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC=-1mA、IB=0 | -400 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=-100ΜA、IC=0 | -5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=-400V、すなわち=0 | -0.1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-400V、IB=0 | -5 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-4V、IC=0 | -0.1 | μA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=-10V、IC=-10mA | 80 | 300 | ||
| hFE （2） | VCE=-10V、IC=-1mA | 70 | ||||
| hFE （3） | VCE=-10V、IC=-100mA | 60 | ||||
| hFE （4） | VCE=-10V、IC=-50mA | 80 | ||||
|
コレクター エミッターの飽和電圧 |
VCE （坐る） （1） | IC=-10mA、IB=-1mA | -0.2 | V | ||
| VCE （坐る） （2） | IC=-50mA、IB=-5mA | -0.3 | V | |||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=-10mA、IB=-1mA | -0.75 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=-20V、IC=-10mA、f=30MHz | 50 | MHz |
| ランク | A | B | C |
| 範囲 | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |