シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
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20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :WST3078
製品名 :mosfet 力トランジスター
特長 :表面の台紙のパッケージ
ID :20A
VGS :-10V
アプリケーション :力管理
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20G04GD 40V N+Pチャネルの強化モードMOSFET
 

 

記述

 

20G04GD使用高度の堀 

優秀なRDSを提供する技術()

そして低いゲート充満。この装置はあります

としてまたは使用負荷スイッチのために適した

PWMの適用。

 

 

概要の特徴
N-CH VDS =-40V、ID =20A RDS () < 25m="">
 
適用
PWMの適用
負荷スイッチ
力管理
 
 
パッケージの印および発注情報
20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET
 

絶対最高のRatings@T =25oC (他に特に規定がなければ)

 

20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

N-CH電気Characteristics@ T =25oC (他に特に規定がなければ)

 

20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

P-CH電気Characteristics@T =25oC (他に特に規定がなければ)

 

 

20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

 
 
P-CH電気Characteristics@T =25oC (他に特に規定がなければ)
 
20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET
 
 
20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET20G04GD 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET
 
 
 
 
 
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