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HXY4606 30V補足MOSFET
記述
HXY4606は優秀なRDS （）および低いgatechargeを提供するのに高度の堀のtechnologyMOSFETsを使用します。補足のMOSFETsはホストのofotherの塗布のためのレベルによって使用されたtoform、であり移される高い側面スイッチ。
A.RのθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定されます。TA =25°C.の静かな空気環境で、銅張りにして下さい
ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まります。
B.電力損失PDはTJ（MAX）に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいています。initialTJ=25°C.を保つためにC.反復的な評価、接合部温度TJ（MAX） =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に脈拍幅は基づいています。
D.RのθJAはRのθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計です。
E.図1に6の静特性はを使用して得られます <300>
F.これらのカーブは2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定される接続点に包囲された熱インピーダンスに基づいています。、TJ（MAX）の最高の接合部温度が=150°C. SOAのカーブ単一の脈拍の評価を提供することを仮定します銅張りにしま。