最新の価格を尋ねる
正会員
7 年
Add to Cart
20G04S 40V N+Pチャネルの強化モードMOSFET
記述
20G04S使用高度の堀
優秀なRDS（）および低いゲート充満を提供する技術。
補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかもしれません
レベルは他のホストのための高い側面スイッチを、移し
適用
概要の特徴
Nチャネル
VDS =40V、ID =20A
RDS（）< 35m=""> GS=10V
RDS（）< 42m=""> GS=4.5V
Pチャネル
VDS =-40V、ID = -18A
RDS（）<40m> GS=-10V
RDS（）< 70m=""> GS=-4.5V
高い発電および現在の渡す機能
無鉛プロダクトは得られます
表面の台紙のパッケージ
適用
●力の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
●の無停電電源装置
パッケージの印および発注情報
