12H02TS 20V N+Nチャネルの強化モードMOSFET
記述
12H02TS使用高度の堀
優秀なRDS （）および低いゲートを提供する技術
充満。補足のMOSFETsはに使用されるかもしれません
他のホストのためのレベルによって移される高い側面スイッチを、形作れば
applicatio
適用
●力の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
●の無停電電源装置
絶対最高のRatings@Tj =25oC （他に特に規定がなければ）
退潮はんだ付けすること
加熱法の選択はプラスチックQFPのパッケージによって影響を及ぼされるかもしれません）。赤外線か蒸気段階の暖房が使用されれば
そしてパッケージは絶対に乾燥していません（重量より少しにより0.1%の含水率）、少しの蒸発
それらの湿気によりプラスチック ボディの割を引き起こすことができます。予熱はのりを乾燥し、蒸発させて必要です
結合代理店。予熱持続期間:45 °C.の45分。
退潮はんだ付けすることははんだののり（良いはんだの粒子、変化および結合代理店の懸濁液）がに加えられるように要求します
パッケージの配置の前に分配するスクリーンの印刷か、ステンシルで刷り付けるか、または圧力スポイトによるプリント回路板。複数
方法はreflowingのためにあります;例えば、コンベヤーのタイプ オーブンの対流か対流/赤外線暖房。効率
時（はんだ付けし、冷却する予熱）は加熱法によって100のそして200秒の間に変わります。
215からのはんだののり材料による270 °Cへの典型的な退潮のピークの温度較差。トップ表面
望ましい厚く/大きいパッケージ（aのための245 °Cの下でのパッケージ保たれることもしパッケージの温度
厚さ容積350個のmm3のいわゆる厚く/大きいパッケージとの2.5 mmまたは）。のトップ表面の温度
望ましい薄い/小型パッケージ（厚さのための260 °Cの下でのパッケージ保たれることもしパッケージ < 2="">
容積 < 350="" mm3="" so="" called="" thin="">
波のはんだ付けすること:慣習的な単一に波のはんだ付けすることは表面の台紙装置(SMDs)かprintedhighの構成密度のためにはんだの連結および非wettingが大きな問題を示すことができるので、推薦されません。
マニュアルのはんだ付けすること:最初に2つの斜め反対の端の鉛をはんだ付けすることによって部品を固定して下さい。低電圧（鉛の平らな部分にoapplied 24ボルトを使用して下さい。接触の時間は300まで°C. Whtoolの10秒に限られなければなりません他の鉛はすべて270そして320 °C.間の2から5秒以内の1つの操作ではんだ付けすることができます。
