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超高電圧 N MOSFET
高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETアプリケーションを持つ超高電圧電源MOSFETの一種である.それは1μA未満に達する高温と低リークで優れた特性を提供するために,新しい横向変数ドーピング技術と特別なパワーMOS構造を使用自動車シリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,LEDドライバ,アダプター,産業スイッチング電源,インバーターこのタイプのMOSFETはN型であり,高電圧アプリケーションに最適なソリューションを提供します.
| パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| 漏れ | 低漏れは1μA未満に達する |
| 熱散 | 熱 の 散らばる 大量 |
| 利点 | 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性 |
| ウルトラHV MOSFET 適用 | スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど |
| 製品名 | 高電圧MOSFET |
| HV MOSFETの適用 | LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど |
| 組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション | モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど |
| 定位電圧 | 高電圧/超高電圧 |
| タイプ | N |
| テクノロジー | MOSFET |
REASUNOS 高電圧モスフェットは,特に高電圧および超高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットトランジスタの一種である.新しい横変形ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造を備えています高温で優れた性能があり,低漏れ,低電阻,高電圧/超高電圧性能を提供します.太陽光インバーターなどのアプリケーションに最適です,モータードライブ,UPSシステム,そして自動車電源電子機器.
REASUNOS 高電圧モスフェットは,競争力のある価格で,中国広東から購入できます. それは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包されています.最大限の安全のために,紙箱の中に入れる配送時間は通常,注文された総量に応じて2-30日間です. 支払条件は100%T/T事前 (EXW) です. 会社は月5KKの供給能力を持っています.
高電圧MOSFET製品は,以下の機能でサポートされ,保守されます.
高電圧MOSFET製品は,次のガイドラインに従って梱包および出荷する必要があります.