
Add to Cart
高い現在の低い内部抵抗のBSC011N03LSI IGBT力モジュール
高い現在および低い内部抵抗のBSC011N03LSI Mosfet TDSON-8
製品特質 | 属性値 | 類似した調査 |
---|---|---|
Infineon | ||
MOSFET | ||
RoHS: | 細部 | |
Si | ||
SMD/SMT | ||
TDSON-8 | ||
N-Channel | ||
1つのチャネル | ||
30ボルト | ||
230 A | ||
1.1のmOhms | ||
- 20ボルト、+ 20ボルト | ||
2ボルト | ||
68 NC | ||
- 55 C | ||
+ 150 C | ||
96 W | ||
強化 | ||
OptiMOS | ||
巻き枠 | ||
テープを切りなさい | ||
MouseReel | ||
ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ | |
構成: | 単一 | |
落下時間: | 6.2 ns | |
前方相互コンダクタンス-分: | 80 S | |
高さ: | 1.27 mm | |
長さ: | 5.9 mm | |
製品タイプ: | MOSFET | |
上昇時間: | 9.2 ns | |
5000 | ||
下位範疇: | MOSFETs | |
トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel | |
典型的なTurn-Off遅れ時間: | 35 ns | |
典型的なTurn-On遅れ時間: | 6.4 ns | |
幅: | 5.15 mm | |
部分#別名: | BSC11N3LSIXT SP000884574 BSC011N03LSIATMA1 | |
単位重量: | 0.003683 oz |