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SI2343CDSの集積回路ICの破片Pチャネル30V 5.9A 2の三重の管

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SI2343CDSの集積回路ICの破片Pチャネル30V 5.9A 2の三重の管

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型式番号 :SI2343CDS-T1-GE3
原産地 :VISHAY
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :3000
包装の細部 :カートン
製造業者 :VISHAY
製品カテゴリ :MOSFET
技術 :Si
様式の取付け :SMD/SMT
パッケージ/場合 :SOT-23-3
トランジスター極性 :P-Channel
チャネルの数 :1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :30ボルト
ID -連続的な下水管の流れ :5.9 A
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SI2343CDSの集積回路ICの破片Pチャネル30V 5.9A 2の三重の管

SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS Pチャネル30V/5.9AのSOT23 3pのMOSFEts 2の三重の管

Vishay
MOSFET
RoHS: 細部
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1つのチャネル
30ボルト
5.9 A
45のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
2.5 V
7 NC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
強化
TrenchFET
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド: Vishayの半導体
構成: 単一
落下時間: 8 ns
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 10 ns
シリーズ: SI2
3000
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのP-Channel
典型的なTurn-Off遅れ時間: 18 ns
典型的なTurn-On遅れ時間: 8 ns
部分#別名: SI2343CDS-T1-BE3 SI2343CDS-GE3
単位重量: 0.000282 oz
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