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部分の状態 | 時代遅れ |
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FETのタイプ | 2 N-Channel (二重) |
FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 30V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 4.6A |
(最高) @ ID、VgsのRds | 30 mOhm @ 4.6A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 2V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 861pF @ 25V |
パワー最高 | 1W |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 8-TSSOP (0.173"、4.40mmの幅) |
製造者装置パッケージ | 8-TSSOP |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |