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シンセンZhaocunの電子工学Co.、株式会社。

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China RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHMの半導体IGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 555 W for sale

RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHMの半導体IGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 555 W

穴TO-247Nを通したRGS80TSX2DHRC11 IGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 555 W 特徴: ●低いコレクター-エミッターの飽和電圧 ●短絡の抵抗の時間10μs ●AEC-Q101に修飾される ●まさに速く及び柔らかい回復FRDで造られる ●Pb -自由な鉛のめっき;迎合...
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China 穴TO-220ABを通したIRFB7434PBF NチャネルMosfet IC 40 V 195A Tc 294W Tc for sale

穴TO-220ABを通したIRFB7434PBF NチャネルMosfet IC 40 V 195A Tc 294W Tc

IRFB7434PBFのN-Channel 40 V 195A （穴TO-220ABを通したTc） 294W （Tc） 特徴: 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ プロダクト状態 活動的 FETのタイプ N-Channel 技術 MOSFET （金属酸化物） ...
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China STPSC10H065BY-TR Smdのダイオードの表面の台紙のダイオード650 V 10A DPAK for sale

STPSC10H065BY-TR Smdのダイオードの表面の台紙のダイオード650 V 10A DPAK

STPSC10H065BY-TR ダイオード 650 V 10A 面実装 DPAK データシート：STPSC10H065BY-TR カテゴリー 単一ダイオード 製造元 STマイクロエレクトロニクス シリーズ 自動車、AEC-Q101 製品の状態 アクティブ テクノロジー SiC（炭化ケイ素）ショット...
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China FCD1300N80Z Fet NチャネルMosfet回路800V 4A Tc 52W Tcの表面の台紙TO-252AA for sale

FCD1300N80Z Fet NチャネルMosfet回路800V 4A Tc 52W Tcの表面の台紙TO-252AA

FCD1300N80ZのN-Channel 800 V 4A （Tc）の52W （Tc）表面の台紙TO-252AA データ用紙:FCD1300N80Z 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr onsemi シリーズ SuperFET II プロダクト状態 ない新しい設計のために FETのタイプ ...
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China BUF420AW穴TO-247-3を通した両極BJT NPNのダイオードのトランジスター450 V 30 A 200 W for sale

BUF420AW穴TO-247-3を通した両極BJT NPNのダイオードのトランジスター450 V 30 A 200 W

BUF420AW バイポーラ（BJT） トランジスタ NPN 450 V 30 A 200 W スルーホール TO-247-3 特徴： ●STマイクロエレクトロニクスの優先販売タイプ ●高電圧能力 ●非常に高いスイッチング速度 ●信頼性の高い動作を実現する最小のロット間のばらつき ●低いベースドライ...
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China FDS3992 NチャネルMosfetの配列IC 100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC for sale

FDS3992 NチャネルMosfetの配列IC 100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC

FDS3992 Mosfetの配列100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC データ用紙:FDS3992 部門 FET、MOSFETは配列する Mfr onsemi シリーズ PowerTrench プロダクト状態 活動的 技術 MOSFET （金属酸化物） 構成 2 N-Channel ...
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China IPP65R110CFDAの高い発電NチャネルMosfetの論理のレベルN 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 for sale

IPP65R110CFDAの高い発電NチャネルMosfetの論理のレベルN 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3

IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A （穴PG-TO220-3を通したTc） 277.8W （Tc） 特徴:IPP65R110CFDA 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 ...
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China IMZ120R090M1H INFINEON NチャネルMosfetのダイオード1200 V 26A Tc 115W Tc Hroughの穴PG-TO247-4-1 for sale

IMZ120R090M1H INFINEON NチャネルMosfetのダイオード1200 V 26A Tc 115W Tc Hroughの穴PG-TO247-4-1

IMZ120R090M1HのN-Channel 1200 V 26A （穴PG-TO247-4-1を通したTc） 115W （Tc） 特徴:IMZ120R090M1H 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ CoolSiC パッケージ 管 プロダクト状...
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China IPP65R110CFDAのダイオードのトランジスターおよびサイリスタのN-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 for sale

IPP65R110CFDAのダイオードのトランジスターおよびサイリスタのN-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3

IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A （穴PG-TO220-3を通したTc） 277.8W （Tc） 特徴: 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 プロダクト状態 活動的 ....
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China ATP114-TL-HのダイオードのトランジスターP-Channel Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tcの表面の台紙ATPAK for sale

ATP114-TL-HのダイオードのトランジスターP-Channel Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tcの表面の台紙ATPAK

ATP114-TL-H Pチャンネル 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) 面実装 ATPAK 特徴：ATP114-TL-H カテゴリー シングルFET、MOSFET 製造元 オンセミ FETタイプ Pチャンネル テクノロジー MOSFET (金属酸化物) ドレイン・ソース間電圧 (Vdss...
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