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AT25M01-SSHM-T EEPROM 1.7-5.5V、20MHzのIndの臨時雇用者、8-SOIC-N
記述:
AT25M01は消去可能な連続の1,048,576ビットおよびプログラム可能な読み取り専用を電気で提供する
記憶（EEPROM）は8ビットの131,072ワードそれぞれとして組織した。装置は多数の使用のために最大限に活用される
低い‑力および低い‑の電圧操作が必要であるところ産業および商用アプリケーション。
装置はスペース節約8の‑の鉛SOIC、8つの‑の鉛SOIJおよび8ボールWLCSPのパッケージで利用できる。すべてのパッケージ
1.7Vから5.5Vに作動させなさい。
速い細部:
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製造業者
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マイクロチップ・テクノロジー
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製造業者プロダクト数
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AT25M01-SSHM-T
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記述
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IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIC
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詳細な説明
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EEPROMの記憶IC 1Mbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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製品特質:
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タイプ
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記述
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部門
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記憶
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プロダクト状態
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活動的
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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EEPROM
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技術
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EEPROM
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記憶容量
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1Mbit
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記憶構成
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128K X 8
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記憶インターフェイス
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SPI
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クロック周波数
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20のMHz
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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5ms
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電圧-供給
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1.7V | 5.5V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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基礎プロダクト数
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AT25M01
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追加的なリソース:
| 属性 | 記述 |
| 他の名前 |
AT25M01-SSHM-TCT
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AT25M01-SSHM-TTR
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AT25M01-SSHM-TDKR
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| 標準パッケージ | 4000 |
特徴
•互換性がある連続周辺機器インターフェイス（SPI）
•SPIモード0 （0,0）および3を支える（1,1）:
–データ用紙はモード0操作を記述する
•低電圧操作:
– 1.7V （VCC = 1.7Vへの5.5V）
•産業温度較差:-40°Cへの+85°C
•20のMHzのクロック レート（5V）
•256の‑バイトのページ モード
•ブロックは保護を書く:
– 1/4、1/2または全体の配列を保護しなさい
•書込禁止（WP） Pinおよびディスエイブルの指示をハードウェアおよびソフトウェア データ保護両方のために書くため
•自己時限5氏内の周期を最高書きなさい
•ESDの保護> 4,000V
•高い信頼性:
–持久力:1,000,000は周期を書く
–データ保持:100年
•緑の（迎合的な無鉛/ハロゲン化物free/RoHS）パッケージの選択
•販売の選択は死ぬ:ウエファーの形態およびぶつけられたウエファー
データ映像:
