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25LC512T-I/SN EEPROMの記憶IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
記述:
マイクロチップ・テクノロジー株式会社25LC512はバイト レベルおよびページ レベルのKbit 512連続EEPROMの記憶である
連続EEPROM機能。それはまた普通フラッシュ ベースと関連付けられるページ、セクターおよび破片の消去機能特色にする
プロダクト。これらの機能はバイトに要求されないまたはページは操作を書く。記憶は簡単な連続によってアクセスされる
周辺機器インターフェイス（SPI）多用性がある連続バス。必要なバス信号は別々のデータとクロックの入力（SCK）のである（SI）
そしてデータ（そう）ライン。装置へのアクセスは破片の選り抜き（CS）入力によって制御される。
速い細部:
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製造業者
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マイクロチップ・テクノロジー
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製造業者プロダクト数
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25LC512T-I/SN
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記述
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IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
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詳細な説明
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EEPROMの記憶IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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製品特質:
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タイプ
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記述
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部門
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記憶
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Mfr
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マイクロチップ・テクノロジー
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プロダクト状態
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活動的
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プログラム可能なDigiキー
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確認される
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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EEPROM
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技術
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EEPROM
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記憶容量
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512Kbit
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記憶構成
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64K X 8
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記憶インターフェイス
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SPI
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クロック周波数
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20のMHz
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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5ms
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電圧-供給
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2.5V | 5.5V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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基礎プロダクト数
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25LC512
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追加的なリソース:
| 属性 | 記述 |
| 他の名前 |
25LC512TISN
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25LC512T-I/SNDKR
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25LC512T-I/SNTR
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25LC512T-I/SNCT
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| 標準パッケージ | 3300 |
特徴
•20のMHz最高。クロック速度
•バイトおよびページ レベルは操作を書く:
- 128バイトのページ
- 最高5氏。
- ページまたはセクターの消去は要求しなかった
•ローパワーCMOSの技術:
- 最高。現在を書きなさい:5.5Vの5 mA、20のMHz
- 読まれた現在:5.5Vの10 mA、20のMHz
- スタンバイの流れ:2.5V （深いpowerdown）の1つのA
•装置IDのための電子署名
•自己時限消去および周期を書くため:
- ページの消去（5氏、典型的な）
- セクターの消去（10 ms/sector、典型的な）
- バルク消去（10氏、典型的な）
•セクターは保護（16Kバイト/セクター）を書く:
- 配列どれも、1/4、1/2またはすべてを保護してはいけない
•組み込みは保護を書く:
- 電源-入/切のデータ保護の回路部品
- Write掛け金を可能にするため
- 書込禁止ピン
•高い信頼性:
- 持久力:1，000,000は/周期を書くために消す
- データ保持:>200年
- ESDの保護:>4000V
•温度較差は支えた:
- 産業（i）:-40°Cへの+85°C
- 延長（e）:-40°Cへの+125°C
•迎合的なRoHS
•自動車AEC-Q100は修飾した
データ映像:
