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記述
817の一連の装置はそれぞれから赤外線出るダイオード、フォトトランジスターの探知器に光学的につながれて成っている。それらは4ピンすくいのパッケージで広鉛の間隔およびSMDの選択で利用できる包まれ。
特徴:
•承諾ハロゲンは放す(銅のleadframeだけ)
(Br < 900="" ppm="">
•現在の移動比率
(CTR:= 5mA、VCE = 5V 50~600%の)
•入力間の高い分離の電圧
そして出力(Viso = 5000Vrms)
•表面漏れ間隔> 7.62mm
•+110°Cまでの実用温度
•密集した小さい輪郭のパッケージ
•プロダクト自体はRoHSの迎合的な版の内に残る
•EUの範囲の承諾
•承認されるULおよびcUL (No.E214129)
•VDEは承認した(第132249)
•SEMKOは承認した
•NEMKOは承認した
•DEMKOは承認した
•FIMKOは承認した
•CQCは承認した
適用
•プログラマブル コントローラ
•システム電気器具、計器
•通信機器
•ファン ヒーター、等のような家庭電化製品。
•異なった潜在性の回路とインピーダンス間の信号伝達
規則的なSHARP/LITEON/ELERLIGHTの部、100は在庫をタイプ インする!
PC817X1NSZ9F タイプ 4.0-8.0mA DIP4
PC817X2NSZ9F Bのタイプ 6.5-13mA DIP4
PC817X3NSZ9F Cのタイプ 10-20mA DIP4
PC817X4NSZ9F Dのタイプ 15-30mA DIP4
EL817 (B) DIP4
EL817 (C) DIP4
EL817S (B) (TU) - F SOP4
EL817S (C) (TU) - F SOP4
EL817S1 (B) (TU) - F SOP4
EL817S1 (C) (TU) - F SOP4
LTV-817-A DIP4
LTV-817-B DIP4
LTV-817-C DIP4
LTV-817-D DIP4
LTV-817M-B DIP4
LTV-817S-TA-C SOP4
LTV-817S-TA-B SOP4
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