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装置 |
プログラム記憶 |
データ記憶 |
入力/出力 |
コンパレーター |
低頻度のアナログの前陣 |
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フラッシュ（単語） |
SRAM （バイト） |
EEPROM （バイト） |
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PIC12F635 |
1024 |
64 |
128 |
6 |
1 |
N |
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PIC16F636 |
2048年 |
128 |
256 |
12 |
2 |
N |
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PIC16F639 |
2048年 |
128 |
256 |
12 |
2 |
Y |
高性能RISC CPU:
•学ぶ35の指示だけ:
- すべての単一周期の指示は枝を除外します
規定回転数:
- DC – 20のMHzの発振器/クロックの入力
- DC – 200 nsの命令サイクル
割り込み機能
8レベルの深いハードウェア積み重ね
直接の、間接および相対的なアドレッシング・モード
特別なマイクロ制御回路特徴:
PrecisionInternalOscillator:
- Factorycalibratedto±1%、典型的
- Softwareselectablefrequencyrangeof
8つのMHzから125のkHz
- Softwaretunable
- Two-SpeedStart-upmode
- Crystalfaildetectforcriticalapplications
- Clockmodeswitchingduringoperationfor
力の節約
Clockmodeswitchingforlow-poweroperation
パワーSavingSleepmode
Wideoperatingvoltagerange （2.0V-5.5V）
IndustrialandExtendedTemperaturerange
パワーonReset （POR）
航跡UpReset （WUR）
独立した弱い懸垂/プルダウン式の抵抗器
ProgrammableLow-VoltageDetect （PLVD）
パワーupTimer （PWRT） andOscillatorStart-up
タイマー（OST）
ブラウンoutReset （BOR）のwithsoftwarecontrol
選択
EnhancedLow-CurrentWatchdogTimer （WDT）
ソフトウェアによってオン破片の発振器（ソフトウェア選択可能な体言完全なprescalerを使って268秒）によって可能にして下さい
MultiplexedMasterClearwithpull-up/inputpin
Programmablecodeprotection （programand
データ独立者）
高EnduranceFlash/EEPROMcell:
- 100,000は抜け目がない持久力を書きます
- 1,000,000はEEPROMの持久力を書きます
- フラッシュ/データEEPROM保持:> 40年
、産業自動車、家電