Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

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BOMの破片の集積回路MOSFET SQJ486EP-T1 GE3 Nチャネル

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MissElena
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BOMの破片の集積回路MOSFET SQJ486EP-T1 GE3 Nチャネル

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型式番号 :SQJ486EP-T1_GE3
原産地 :原物
最低順序量 :1pcs
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :300000/pcs/week
受渡し時間 :1-3day
包装の細部 :元のパッケージ
記述 :MOSFETのN-Channel 75V AEC-Q101は修飾した
標準的 :300000
出荷方法 :明白
入れられたタイプ :標準
内部電圧供給- :標準
条件 :100%の原物
パッケージ :皿、巻き枠、パッキング泡、箱
調達期間 :1-3days
質 :良質
明白 :Federal Expressのtnt。DHL。ems.持ち上げる。
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BOMの新しいオリジナルのトランジスターMOSFET SQJ486EP-T1_GE3の集積回路

 

 

私達の会社への歓迎!

 

Zeshengの会社は世界の半導体および電子部品の一流のディストリビューターの1才である。

私達は集積回路(IC)の活動的な、受動の、電気機械の部品そして種類からの最も完全な製品の範囲を、提供する。直接製造業者か承認されたディストリビューターからのすべて。

 

指定  
製品特質 属性値
製造業者: Vishay
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 細部
技術: Si
様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ/場合: PowerPAK-SO-8-4
トランジスター極性: N-Channel
チャネルの数: 1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: 75ボルト
ID -連続的な下水管の流れ: 30 A
Rdsのオン下水管源の抵抗: 22のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧: - 20ボルト、+ 20ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: 1.1 V
Qg -ゲート充満: 34 NC
最低の実用温度: - 55 C
最高使用可能温度: + 175 C
Pd -電力損失: 56 W
チャネル モード: 強化
資格: AEC-Q101
商号: TrenchFET
シリーズ: スクエア
包装: 巻き枠
包装: テープを切りなさい
ブランド: Vishay/Siliconix
構成: 単一
落下時間: 14 ns
前方相互コンダクタンス-分: 75 S
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 11 ns
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
典型的なTurn-Off遅れ時間: 21 ns
典型的なTurn-On遅れ時間: 9 ns
単位重量: 0.017870 oz

 

BOMの破片の集積回路MOSFET SQJ486EP-T1 GE3 NチャネルBOMの破片の集積回路MOSFET SQJ486EP-T1 GE3 NチャネルBOMの破片の集積回路MOSFET SQJ486EP-T1 GE3 Nチャネル

P/N 製造業者 包装 日付コード Qty
ZWS-10B-12 TDK N/A 22+ 630000
ZB4BA731347 TDK N/A 22+ 30000
ZB4BA71217 TDK N/A 23+ 30000
ZSPM4141AI1W18 TDK N/A 23+ 30000
ZSPM4121AI1W17 TDK N/A 23+ 49000
ZSPM4551AA1W TDK N/A 23+ 70000
ZB4BA711147 TDK N/A 23+ 221900
ZB5AG920 TDK N/A 23+ 30000
ZPDR-12V TDK N/A 22+ 90000
ZSPM8010K TDK N/A 22+ 630000
ZB4BS84430 TDK N/A 23+ 30000
ZB4BW163 TDK N/A 23+ 30000
Z2-K-10.0-MP-7/0. TDK N/A 23+ 30000
ZB5CH343 TDK N/A 23+ 49000
ZB5AG714 TDK N/A 23+ 70000
ZB4BA71115 TDK N/A 22+ 221900
ZD327401 TDK N/A 21+ 30000
ZB4BA335 TDK N/A 22+ 30000
ZB4BA71207 TDK N/A 22+ 30000
ZB4BA73134 TDK N/A 23+ 30000
ZB4BA73135 TDK N/A 22+ 49000
ZSPM4121W17K TDK N/A 22+ 25000
ZSPM4121AI1W30 TDK N/A 22+ 38000
ZWS-300BAF-36 TDK N/A 21+ 125000
ZB5AS94412 TDK N/A 22+ 40000
ZSPM4141AI1W33 TDK N/A 22+ 25000
ZWS-10B-24 TDK N/A 22+ 123500
ZSPM8060K TDK N/A 22+ 25800
ZB5AW7A1715 TDK N/A 22+ 78000
ZB4BA721247 TDK N/A 22+ 46500
ZB4BA711137 TDK N/A 22+ 13500
ZSPM4141W12K TDK N/A 23+ 25800
ZWS30B15 TDK N/A 23+ 35800
Z2-T-5.0-MP-1/0.315 TDK N/A 23+ 125000
ZB5AG914 TDK N/A 23+ 135000

BOMの破片の集積回路MOSFET SQJ486EP-T1 GE3 Nチャネル

Q1:だれであるか。

A1:私達は電子部品のディストリビューターである。私達のプロダクトはICを含んでいる。誘導器、抵抗器、電位差計、コンデンサーおよびモジュール、等。あなたが約電子部品について考えることができるすべて!

Q2:元のプロダクトであるか。
A2:はいすべてのプロダクトは元の製造業者によって元そして作り出されて。

Q3:あなたの保証は何であるか。
A3:商品が受け取られた365日後。私達のプロダクトは送り出される前にテストされた100%である。

Q4:私はいかに順序の支払をするか。
A4:TT、Paypal、ウェスタン・ユニオンおよびAlibabaによってオンラインで支払うことができる。またはまた私達に相談することができる。
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