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集積回路の破片CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAMのメモリー チップ8-WDFN ICの破片

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集積回路の破片CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAMのメモリー チップ8-WDFN ICの破片

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型式番号 :CY15B102QN-50LHXI
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :8-WDFN
部品番号 :CY15B102QN-50LHXI
構成 :256 k X 8
様式の取付け :SMD/SMT
技術 :FRAM (Ferroelectric RAM)
クロック周波数 :50のMHz
アクセス時間 :8 ns
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集積回路の破片CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAMのメモリー チップ8-WDFN ICの破片

 

CY15B102QN-50LHXIの製品の説明

CY15B102QN-50LHXIは低い電力、高度のferroelectricプロセスを用いる2Mb不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかF-RAMは不揮発性で、読み、書くRAMに類似した行う。

 

CY15B102QN-50LHXIの指定

部品番号 CY15B102QN-50LHXI
クロック周波数
50のMHz
アクセス時間
8 ns
電圧-供給
1.8V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
8-WDFNはパッドを露出した
製造者装置パッケージ
8-DFN (5x6)

 

CY15B102QN-50LHXIの特徴

  • 論理的に256K ×として8組織される2Mb ferroelectric RAMメモリ(F-RAM)
  • 頻度50までのMHzの
  • サポートSPIモード0 (0、0)およびモード3 (1、1)
  • 熱心な256バイトの特別なセクターF-RAM
  • 熱心で特別なセクター書き、読むため
  • 貯えられた内容は3つまでの標準的な退潮はんだ付けする周期を存続できる

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
OPA2322AIDRGR SON-8
ISL9440AIRZ QFN
ISL9440AIRZ QFN
NTLUS3A18PZTBG DFN6
AMIS30660CANH2RG SOP8
RT9612BZS SOP8


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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