ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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集積回路の破片QH8MA4TCR Mosfetの配列30V 9Aのトランジスター8-SMD表面の台紙

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集積回路の破片QH8MA4TCR Mosfetの配列30V 9Aのトランジスター8-SMD表面の台紙

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型式番号 :QH8MA4TCR
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :8-SMD
部品番号 :QH8MA4TCR
技術 :MOSFET (金属酸化物)
構成 :NおよびP-Channel
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :30v
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :9A、8A
(最高) @ ID、VgsのRds :16mOhm @ 9A、10V
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集積回路の破片QH8MA4TCR Mosfetの配列30V 9Aのトランジスター8-SMD表面の台紙

 

QH8MA4TCR製品の説明

QH8MA4TCRはNであり、P-Channel力のMOSFETsは小さいのの低いオン抵抗を、の8ピン、表面の台紙によって形成されるパッケージ強力提供する。

 

QH8MA4TCR指定

部品番号

QH8MA4TCR

ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs

15.5nC @ 10V

入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds

640pF @ 15V

パワー最高

1.5W

実用温度

150°C (TJ)

 

QH8MA4TCR特徴

  • 低いオン抵抗

  • 小さい表面の台紙のパッケージ(TSMT8)

  • Pbなしのめっき;迎合的なRoHS

  • 自由なハロゲン

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

INA202AIDGKT

VSSOP8

TLE8444SL

SSOP24

EPC1441PI8

DIP8

ADW71205WSTZ

LQFP44

LT8301HS5

SOT23-5

IKW50N60TA

TO-247


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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