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集積回路の破片MSC035SMA070の炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET

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集積回路の破片MSC035SMA070の炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET

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型式番号 :MSC035SMA070
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :TO-247-3
部品番号 :MSC035SMA070
(最高) @ ID、VgsのRds :44mOhm @ 30A、20V
Vgs ((最高) Th) @ ID :2.7V @ 2mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs :99 NC @ 20ボルト
Vgs (最高) :+25V、-10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :2010 pF @ 700ボルト
電力損失(最高) :283W (Tc)
実用温度 :-55°C | 175°C (TJ)
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集積回路の破片MSC035SMA070の炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET

 

MSC035SMA070の製品の説明

MSC035SMA070装置はV 700、TO-247パッケージの35のmΩ SiC MOSFETである。

 

MSC035SMA070の指定

部品番号: MSC035SMA070 FETのタイプ: N-Channel
技術: SiCFET (炭化ケイ素) 源の電圧(Vdss)に流出させなさい: 700ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C: 77A (Tc) ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): 20ボルト


MSC035SMA070の特徴

  • 低いキャパシタンスおよび低いゲート充満
  • 低い内部ゲートの抵抗(ESR)による速い切り替え速度
  • 高い接合部温度、TJの(最高) = 175 °Cの安定した操作
  • 速く、信頼できるボディ ダイオード
  • 優秀ななだれの険しさ
  • 迎合的なRoHS

 

MSC035SMA070の利点

  • より軽い、より密集したシステムを可能にする高性能
  • 運転しやすいおよび平行になること容易
  • 改善された熱機能および転換の損失を下げるため
  • 外的で自由奔放なダイオードのための必要性を除去する
  • 所有権のより低いシステム費用

 

MSC035SMA070の適用

  • スマートな格子伝達および配分
  • 誘導加熱および溶接

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
VNDH5160AJTR HSSOP12
BSZ160N10NS3G TDSON-8
SPA15N60C3 TO-220F
PIC16F77 QFP44
CY62128EV30LL-45ZAXI TSSOP-32
AD420ARZ-32 SOP24

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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