ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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自動車IGBTモジュールDF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2Nチャネルの炭化ケイ素モジュール

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自動車IGBTモジュールDF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2Nチャネルの炭化ケイ素モジュール

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型式番号 :DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :モジュール
部品番号 :DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
技術 :炭化ケイ素(SiC)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :1200V
Vgs ((最高) Th) @ ID :5.15V @ 20mA
パワー最高 :20mW
パッケージ/場合 :モジュール
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自動車IGBTモジュールDF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2Nチャネルの炭化ケイ素モジュール


DF8MR12W1M1HFB67BPSA1の製品の説明

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1はMosfetの配列1200V、45Aの20mWシャーシの台紙、2つのN-Channelのトランジスター モジュールである。


DF8MR12W1M1HFB67BPSA1の指定

部品番号 DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
技術
炭化ケイ素(SiC)
構成
2 N-Channel
FETの特徴
炭化ケイ素(SiC)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
1200V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
45A
(最高) @ ID、VgsのRds
16.2mOhm @ 50A、18V
Vgs ((最高) Th) @ ID
5.15V @ 20mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
149nC @ 18V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
4400pF @ 800V
パワー最高
20mW
実用温度
-40°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け
シャーシの台紙
パッケージ/場合
モジュール
製造者装置パッケージ
AG-EASY1B

 

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1のパッケージの写真

自動車IGBTモジュールDF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2Nチャネルの炭化ケイ素モジュール

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
LM5018SD QFN
CY7C1051DV33-12ZSXIT TSOP-44
EN6347QI QFN
CSD17304Q3 QFN
EN6360QI QFN
TPS54620RGYR QFN

 

FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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