ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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集積回路の破片FDMT80060DC Nチャネルのトランジスター8-PowerVDFNトランジスター

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集積回路の破片FDMT80060DC Nチャネルのトランジスター8-PowerVDFNトランジスター

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型式番号 :FDMT80060DC
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :8-PowerVDFN
部品番号 :FDMT80060DC
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :20170 pF @ 30ボルト
電力損失(最高) :3.2W (Ta)、156W (Tc)
実用温度 :-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け :表面の台紙
製造者装置パッケージ :8二重Cool™88
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集積回路の破片FDMT80060DC Nチャネルのトランジスター8-PowerVDFNトランジスター

 
FDMT80060DCの製品の説明

FDMT80060DC N−Channel MOSFETはonsemiの高度POWERTRENCHプロセスを使用して作り出される。ケイ素および二重涼しいパッケージの技術両方の進歩はJunction−to−Ambientの極端に低い熱抵抗によって最も低いrDSを提供するために()間、維持の優秀な切換えの性能結合される。


FDMT80060DCの指定

部品番号 FDMT80060DC
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
60ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
43A (Ta)、292A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
8V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
1.1mOhm @ 43A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
4.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
238 NC @ 10ボルト

 

トランジスターの特徴

  • 最高rDS () = 1.1 mのVGS = 10ボルト、ID = 43 A
  • 最高rDS () = 1.3 mのVGS = 8ボルト、ID = 37 A
  • 低いrDS ()および高性能のための高度のパッケージおよびケイ素の組合せ
  • 次世代は柔らかい回復のために設計されたボディ ダイオードの技術を高めた
  • 控えめな8x8 mm MLPのパッケージ
  • MSL1強いパッケージ・デザイン

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
AK8858VQ QFP
AL260C-HS-PBF QFP
AKKU2110BX SSOP
AM2321P SOT23-3
AM20N10-250D TO-252
AM4961GH-G1 HTSSOP-14


FAQ
Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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