ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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集積回路の破片MT53E512M32D1NP-046の重量:Bの記憶IC 200WFBGA IC記憶ドラム

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集積回路の破片MT53E512M32D1NP-046の重量:Bの記憶IC 200WFBGA IC記憶ドラム

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型式番号 :MT53E512M32D1NP-046重量:B
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :200-TFBGA (10x14.5)
部品番号 :MT53E512M32D1NP-046重量:B
パッケージ/場合 :200-WFBGA
サイズ :10mm x 14.5mm
タイプの取付け :表面の台紙
実用温度(最高) :95°C (TC)
詳細な説明 :記憶IC 200-WFBGA (10x14.5)
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集積回路チップ MT53E512M32D1NP-046 WT:B メモリ IC 200WFBGA IC MEMORY DRAM

の製品説明MT53E512M32D1NP-046 WT:B

MT53E512M32D1NP-046 WT:B は車載用 DDR4 SDRAM です。8n プリフェッチ アーキテクチャは、I/O ピンでクロック サイクルごとに 2 つのデータ ワードを転送するように設計されたインターフェイスと組み合わされています。

の仕様MT53E512M32D1NP-046 WT:B

部品番号: MT53E512M32D1NP-046 WT:B クロック周波数: 2.133GHz
メモリ インターフェイス: 平行 供給電圧(分): 1.06V
動作温度 (最大): 95℃(TC) 取り付けタイプ: 表面実装

の特徴メモリーチップ

  • プログラム可能なデータ ストローブ プリアンブル
  • セルフリフレッシュモード
  • データバスのデータバス反転 (DBI)

その他の供給製品タイプ

部品番号 パッケージ
NSS12100M3T5G SC70-3
NT25L90 QFN28
NTLJD3115PT1G DFN6
ONET1141LRGER VQFN-24
ONET1151PRGTR VQFN16
OPA354AIDBVT SOT23-5

よくある質問

Q: あなたの製品はオリジナルですか?
A:はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q: どの証明書を持っていますか?
A: 当社は ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q: 少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?
A:はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: 注文の発送方法を教えてください。安全ですか?
A:DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。
Q: リードタイムはどうですか?
A: 在庫部品は 5 営業日以内に発送できます。在庫がない場合は、ご注文数量に基づいてリードタイムを確認します。

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