ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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高速CMOS S28HS512TGABHV013のフラッシュ記憶IC 24FBGA集積回路の破片

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高速CMOS S28HS512TGABHV013のフラッシュ記憶IC 24FBGA集積回路の破片

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型式番号 :S28HS512TGABHV013
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :24-FBGA (6x8)
部品番号 :S28HS512TGABHV013
記憶タイプ :不揮発性
ページのプログラミングの緩衝 :256か512バイト
OTPの安全なケイ素の配列 :1024バイト(32のx 32バイト)
DDRの選択操業 :400までMBps (クロック速度200のMHzの)
タイプの取付け :表面の台紙
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高速CMOS S28HS512TGABHV013のフラッシュ記憶IC 24FBGA集積回路の破片

 

S28HS512TGABHV013の製品の説明

JEDEC JESD251によって拡大されるSPI (xSPI)の指定と迎合的のS28HS512TGABHV013は高速CMOS、MirrorBit抜け目がない装置である。SemperのフラッシュはISO 26262の標準に従って開発を用いる機能安全のためにASIL-Bの承諾およびASIL-Dの準備を達成するように設計されている。

 

S28HS512TGABHV013の指定

部品番号 S28HS512TGABHV013
記憶タイプ
不揮発性
技術
フラッシュ- (SLC)
アクセス時間
5.45 ns
記憶構成
64M x 8
周期にタイムの単語、ページを書きなさい 1.7ms
記憶インターフェイス
SPI -8入力/出力
クロック周波数
200のMHz
記憶容量
512Mbit
電圧-供給
1.7V | 2V
実用温度
-40°C | 105°C (TA)
製造者装置パッケージ
24-FBGA (6x8)

 

メモリー チップの特徴

  • 256か512バイトのページのプログラミングの緩衝
  • OTPの1024バイトの安全なケイ素の配列(32のx 32バイト)
  • SDRの選択操業200までMBps (クロック速度200のMHzの)
  • DDRの選択操業400までMBps (クロック速度200のMHzの)
  • SDRの選択操業21までMBps (クロック速度166のMHzの)

 

他の供給の製品タイプ

部品番号 パッケージ
SG865W-WF モジュール
RG500U-CN LCC
RM500U-CN LCC
RG200U-CN LCC
RG500Q-CN M.2
RM510Q-GL M.2

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
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