ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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集積回路の破片S80KS2562GABHM023のメモリー チップ24FBGA擬似SRAMの記憶

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集積回路の破片S80KS2562GABHM023のメモリー チップ24FBGA擬似SRAMの記憶

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型式番号 :S80KS2562GABHM023
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :24-FBGA (6x8)
部品番号 :S80KS2562GABHM023
電圧-供給(最高) :2V
実用温度(分) :-40°C (TA)
深い力(105の°C)の最高の消費電流 :15 μA
スタンバイ(105の°C)の最高の消費電流 :1.55 mA
破烈は(200のMHzの線形破烈)消費電流を読むか、または書く(最高) :20 mA/22 mA
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集積回路の破片S80KS2562GABHM023のメモリー チップ24FBGA擬似SRAMの記憶

 

S80KS2562GABHM023の製品の説明

S80KS2562GABHM023によってはHYPERRAM™自己新たになる動的がのHYPERBUS™インターフェイスとのRAM (ドラム)である。HYPERBUS™インターフェイスに8ビット(1バイト)広いDDRのデータ・バスがあり、単語全体の(16ビット データ)住所境界だけ使用する。

 

S80KS2562GABHM023の指定

部品番号: S80KS2562GABHM023 サイズ: 6mm x 8mm
タイプ: 擬似SRAMの記憶IC 最高のクロック レート: 200のMHz
データ・スループット: 400までMBps (3,200 Mbps) 最高のアクセス時間: 35 Ns

 

S80KS2562GABHM023の論理のブロック ダイヤグラム
集積回路の破片S80KS2562GABHM023のメモリー チップ24FBGA擬似SRAMの記憶
 

他の供給の製品タイプ

 
部品番号 パッケージ
ADS7138QRTERQ1 WQFN16
MAX32666GXMBT+T BGA121
MAX32666GXMBL+T BGA
TMP451AQDQFRQ1 WSON-8
BG77 LCC
SG560D モジュール

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
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