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パワー管理IC L6491DTR ハーフブリッジ低サイド4AゲートドライバーIC SOIC14
製品説明L6491DTR
L6491DTRは,BCD6 OFF-LINE技術で製造された高電圧装置である.
L6491DTRは,Nチャネル電源MOSFETまたはIGBT用のシングルチップ半ブリッジゲートドライバである.高面 (浮遊) セクションは600Vまでの電圧レールに対応するように設計されている.ロジックインプットが CMOS/TTL 互換性 3.3V 簡単にインターフェイスできるマイクロコントローラー/DSP.
製品属性L6491DTR
| 部分番号 | L6491DTR |
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駆動式構成
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ハーフブリッジ
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チャンネルタイプ
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独立
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ゲートタイプ
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IGBT,NチャンネルMOSFET
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電圧 - 供給
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10V~20V
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論理電圧 - VIL,HIV
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1.45V,2V
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電流 - ピーク出力 (源,シンク)
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4A,4A
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入力タイプ
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逆転しない
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高横電圧 - マックス (ブートストラップ)
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600V
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昇降時間 (種類)
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15インチ 15インチ
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動作温度
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-40°C ~ 125°C (TJ)
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マウントタイプ
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表面マウント
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パッケージ/ケース
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14-SOIC (0.154",3.90mm 幅)
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供給者のデバイスパッケージ
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14-SO
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特徴L6491DTR
適用するL6491DTR
ブロック図L6491DTR
よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A:はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします. サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q:私の注文をどのように送りますか?安全ですか?
A:我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船にエクスプレスを使用します.我々はまた,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品ダメージに対して責任を負います..
Q:リードタイムはどうですか?
A:我々は5日以内にストックパーツを輸送することができます. ストックがない場合は,私たちはあなたの注文量に基づいてあなたのためのリード時間を確認します.
