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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。
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LMG3422R030RQZR GaN FET 600Vは隔離されたGaNのゲートの運転者を統合した
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集積回路の破片
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LMG3422R030RQZR GaN FET 600Vは隔離されたGaNのゲートの運転者を統合した
製品の詳細
GaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FET 統合ドライバーと隔離ゲートドライバー 記述 LMG3422R030RQZR GaN FET 搭載ドライバーと保護装置により,設計者はパワーエレクトロニクスシステムで新しいレベルの電力密度と効率を達成できます. ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
パワーモスフェットゲートドライバー
igbtゲートドライバー回路
高電圧ゲートドライバー
