SiC ICPの皿 炭化ケイ素ICPの皿は地殻均衡プロセスによって押すおよび高温の焼結形作られる。タブレットの溝のacupoints、位置および形の外の直径、厚さ、数およびサイズはまたユーザーの特定の条件を満たすユーザーの設計デッサンの条件に従って終了する。 典型的な適用 LEDの破片の製造業でプロ...
SiC PVDの皿 炭化ケイ素PVDの皿は地殻均衡プロセスによって押すおよび高温の焼結形作られる。タブレットの溝のacupoints、位置および形の外の直径、厚さ、数およびサイズはまたユーザーの特定の条件を満たすユーザーの設計デッサンの条件に従って終了する。 典型的な適用 物理的な蒸気沈殿(PVD)...
SiC RTAの皿 炭化ケイ素RTAの皿は地殻均衡プロセスによって押すおよび高温の焼結形作られる。タブレットの溝のacupoints、位置および形の外の直径、厚さ、数およびサイズはまたユーザーの特定の条件を満たすユーザーの設計デッサンの条件に従って終了する。 典型的な適用 RTAのLEDの破片の製造...