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INPウエファー（リン化インジウム）
私達は直径のマイクロエレクトロニックの（HBT/HEMT）および光電子工学の企業（LED/DWDM/PIN/VCSELs）に良質の単結晶INPウエファー（リン化インジウム）を3インチまで提供する。リン化インジウム（INP）の水晶は2つの要素、インジウムおよびリン化物のCzochralski液体の内部に閉じ込められた（LEC）方法またはVGF方法による成長によって形作られる。INPウエファーはシリコンの薄片と比較される重要な半導体材料優秀な電気および熱特性があるであり、GaAsのウエファー、INPウエファーにより高い電子移動度、より高い頻度、低い電力の消費、より高い熱伝導性および低雑音の性能がある。私達はあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級INPウエファーを提供してもいい。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
III-Vの混合のウエファー
私達はGaAsのウエファー、ギャップのウエファー、GaSbのウエファー、InAsのウエファーおよびINPウエファーを含む混合のウエファーの広い範囲を提供する。
製品仕様書
| 成長 | LEC/VGF |
|---|---|
| 直径 | Øの2"/Ø 3"/Ø 4" |
| 厚さ | 350 um | 625 um |
| オリエンテーション | <100>/<111>/<110>または他 |
| オリエンテーションを離れて | 2°への10°を離れて |
| 表面 | 1つの側面はまたは磨かれた双方磨いた |
| 平らな選択 | EJまたは半。Std. |
| TTV | <= 10 um |
| 弓/ゆがみ | <= 20 um |
| 等級 | Epiは等級/機械等級を磨いた |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器 |