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FS8205AはMOSFET 20V 6A Nチャネルの強化モード二倍になる

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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FS8205AはMOSFET 20V 6A Nチャネルの強化モード二倍になる

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型式番号 :FS8205A
原産地 :台湾
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :12000PCS/WEEK
受渡し時間 :2-3days
包装の細部 :3000PCS/REEL
雨源Voltag :20A
現在を流出させなさい(連続的) :6A
食べ源Voltag :±12
下水管の流れ(脈打つ) *1 :30A
全体の電力損失@TA=25oC :1.5W
全体の電力損失@TA=75oC :0.96W
操作および保管温度の範囲 :-55から+150 ℃
Ambient*2への熱抵抗の接続点 :83℃/W
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FS8205Aの二重N-Channel強化モードMOSFET (20V、6A)

 

1.Description

このN-Channel 2.5VはMOSFETをである高度の堀プロセスの険しいゲート版指定した。それはゲート ドライブ電圧(2.5V-10V)の広い範囲との力管理適用のために最大限に活用された

2.Features

RDS () =38mΩ@VGS=2.5V、ID=5.2A;RDS () =25mΩ@VGS=4.5V、ID=6A
•超低いオン抵抗のための高密度細胞の設計
•高い発電および現在の渡す機能
•十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ
•李イオン電池のパックの塗布のための理想

3.Applications

電池の保護
負荷スイッチ
力管理

4.SwitchingTest回路

FS8205AはMOSFET 20V 6A Nチャネルの強化モード二倍になる

5.TSSOP-8L次元

FS8205AはMOSFET 20V 6A Nチャネルの強化モード二倍になる

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