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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

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穴の電子集積回路STW45NM60 MOSFET NChを通して650ボルト45のAmp
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製品の詳細
穴の電子集積回路STW45NM60 MOSFET NChを通して650ボルト45のAmp 表1.の絶対最高評価の記号のパラメータ値の単位VGSのゲート源電圧±30 V IDの下水管の流れ（連続的な）のTC = 25°C 45 IDの下水管の流れ（連続的な）のTC = 100°C 28 IDM （1）...
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ダイオードブリッジ ic 33kVのシューズ切断 7段の共通アンード

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