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穴の電子集積回路STW45NM60 MOSFET NChを通して650ボルト45のAmp
表1.の絶対最高評価の記号のパラメータ値の単位VGSのゲート源電圧±30 V IDの下水管の流れ（連続的な）のTC = 25°C 45 IDの下水管の流れ（連続的な）のTC = 100°C 28 IDM （1）安全運転区域の下水管の流れ（脈打つ） 180によってPTOTの合計の消滅で限られる1.の脈拍幅要因3.33 With°C dv/dt （2） 2. ISDを軽減するTC = 25°C 417 W < 45A="">
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