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17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

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シティ:shenzhen
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17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

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型式番号 :IRFR024NTRPBF
原産地 :元の工場
最低順序量 :最低順序量: 10 PCS
支払の言葉 :先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力 :1000
受渡し時間 :3daysの中では
包装の細部 :標準的な包装
タイプ :集積回路
パッケージのタイプ :SMD
港 :シンセンか香港
調達期間 :1-3working幾日
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表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W

 

詳しい製品の説明
FETのタイプ: N-Channel 実用温度: -55°C | 175°C
湿気感受性のレベル(MSL): 1 (無制限) 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS
高いライト:

高い発電mosfetのトランジスター

nチャネルmosfetのトランジスター

 

 

迎合的なIRFR024NTRPBF D-PAKのN-Channel 55V 17A 45Wの表面の台紙RoHS

特徴
l超低いオン抵抗
l表面の台紙(IRFR024N)
lまっすぐな鉛(IRFU024N)
lは加工技術を進めた
l速い切換え
評価される十分にlなだれ
FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET (金属酸化物)  
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 55V  
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 17A (Tc)  
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V  
(最高) @ ID、VgsのRds 75 mOhm @ 10A、10V  
Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 250µA  
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 20nC @ 10V  
Vgs (最高) ±20V  
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 370pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失(最高) 45W (Tc)  
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)  
タイプの取付け 表面の台紙

 

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