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デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
シティ:
shenzhen
省/州:
guangdong
国/地域:
china
連絡窓口:
MrsVIVI
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thyristor-module
T718N16TOFのサイリスタ モジュールEUPEC 1500A 600 - 1600Vサイリスタのダイオード モジュール
T718N16TOFのサイリスタ モジュールEUPEC 1500A 600-1600V デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール:sales3@deli-ic.com Skype:hkdeli881 ウェブサイト....
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エアコン/CVCFのためのQM20TD Hのサイリスタ モジュール20A ICのコレクター流れ
QM20TD-Hのサイリスタ モジュールの三菱トランジスター モジュールの中型力の切換えの使用によって絶縁されるタイプ •ICのコレクター流れ..........................20A •VCEXのコレクター エミッターの電圧........... 600V •hFE DCの現在の利...
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QM75DY Hのサイリスタ モジュールの高い発電の切換えによって絶縁される三菱IGBTモジュール
QM75DY-H三菱のトランジスター モジュールの高い発電の切換えの使用によって絶縁されるタイプ •ICのコレクター流れ..........................75A •VCEXのCollector-emitter電圧........... 600V •hFE DCの流れ利益.........
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S15-48-12Nの高性能のサイリスタ モジュール15W 48Vの低い電力の煉瓦S15 - 48 - 12N
S15-48-12N 15Wの高性能の低い電力の煉瓦 記述 S15一連の高性能は、低い電力DC/DCのコンバーター同じような足跡の他の煉瓦を超過するパワー レベルを提供します。18-24または36-75Vの広い入力電圧範囲によってそれらは1.5、1.8、2.5、3.3、5、12、±12、15、か.....
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BSM200GB120DLC IGBT力モジュールの高性能のサイリスタ モジュールの元の新しい
製品の説明 良質IGBTモジュール半分橋1200V 420A 1550WシャーシはモジュールBSM200GB120DLCを取付けます モジュールBSM200GB120DLC 製品名 良質IGBTモジュール半分橋1200V 420A 1550WシャーシはモジュールBSM200GB120DLCを取付けま...
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GT20J101サイリスタのモジュールによって絶縁されるゲートの両極トランジスター ケイ素Nチャネル
GT20J101東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用 •第3生成•強化モード •高速:tf = 0.30のµs (最高) •低い飽和電圧:VCE (坐る) = 2.7ボルト(最高) 特徴 記号 評価 単位 Collector-emitter電圧 ...
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IRKT91/12A IR 1600V 12A GEN V力モジュールのサイリスタUL E98996
IRKT91/12Aは#朴GEN V力モジュールのサイリスタ/ダイオードをおよびサイリスタ/サイリスタを加える 特徴 ustrial標準パッケージ 厚いAlの金属死に、棒の結合を倍増するため 厚い銅のベースプレート UL E78996は承認した 電圧を隔離する350......
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黒いDF60LA160 60Amp 3段階橋ダイオード モジュール
在庫で新しく、元の3段階橋タイプのためのDF60LA160#力のダイオード モジュール 力のダイオード モジュールDF60LA/LBは三相全波の改正のために設計されている、 接続される6つのダイオードがあるかどれが三相橋構成で。 モジュールの取付けの基盤は半導体の......
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THD10-2423WIN 15V 10W DCのコンバーターはモジュール9の鉛24-DIPを隔離した
THD10-2423WIN#はモジュールDC-DCのコンバーター+/- 15V 10Wモジュール9の鉛24-DIPを隔離した 入る電圧- (分) 9V サイズ/次元 1.25の」L X 0.80" W X 0.40" H (31.8mm......
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