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DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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IR2011S 35nsの低い側面の運転者、高速力Mosfetの運転者10V - 20V
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製品カテゴリ
IC のメモリー チップ
[23]
集積回路の破片
[72]
コンピュータ IC 破片
[11]
力管理 IC
[21]
基板コネクタ
[121]
UVC LEDランプ
[49]
一般目的の整流器ダイオード
[59]
NPN PNP のトランジスター
[63]
smdの破片の抵抗器
[29]
SMDのチップ・コンデンサ
[40]
スイッチを離れたの押しボタン
[14]
IGBT 電源モジュール
[23]
サイリスタ モジュール
[6]
RF の無線電信モジュール
[10]
SMDの破片誘導器
[11]
エア・クオリティのガス センサー
[9]
導かれる部品をつけます
[10]
低い信号のリレー
[24]
水晶および発振器
[10]
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[48]
企業との接触
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
連絡窓口：
MrsVIVI
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企業との接触
IR2011S 35nsの低い側面の運転者、高速力Mosfetの運転者10V - 20V
製品の詳細
IR2011STRPBFコンピュータIC破片高低の側面の運転者の高速powerMOSFETの運転者 特徴 ·浮遊チャネルは否定的で一時的な電圧に耐久性がある+200V免疫があるdV/dtまで完全に機能したブートストラップ操作のために設計しました ·10Vからの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲 ·...
製品詳細図 →
商品のタグ：
力mosfetの運転者
低側モスフェットドライバー
パワー モスフェット ドライバー
