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1ワット、980 nmの据えられていない半導体レーザー、据えられていない単一のエミッター
半導体のレーザーは今日の産業レーザー システムのほとんどのセンターピースです。ソリッド ステート レーザーの直接材料加工か、または光学ポンプは、繊維のレーザーまたはディスク レーザー、据えられていない単一のエミッターおよび棒ライトに電気エネルギーの最初の転換のための主要部分であるかどうか。
HTOEは1998年以来の半導体ウエハーの技術に焦点を合わせましたり、635と1064nm間の波長で多重モードの高い発電を提供します。
変数(25℃)
変数 | 単位 | CLDM-0980-1000-02 | |
---|---|---|---|
光学変数 | 出力電力Po | MW | 1000 |
中心の波長のλc | nm | 980 ± 10 | |
ビーム発散のθの⊥×θ∥ | deg | 40x10 | |
タラ | W | ≥ 2.00 | |
幾何学的 | エミッターの幅 | μm | 100 |
幅 | μm | 500 | |
キャビティ長さ | μm | 900 | |
電気変数 | 斜面の効率Es | W/A | ≥ 0.90 |
境界の流れIのTh | A | ≤ 0.25 | |
動作電流If | A | ≤ 1.36 | |
操作電圧Vf | V | ≤ 2.00 |
通知
1. 項目通知:CLDM (項目モデル) - 0980 (中心の波長) - 1000 (出力電力) - 02。
2. データ用紙は25℃の下のテストの結果に基づいています。
3. データ用紙はC台紙のパッケージのテストに基づいています。
4. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。