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40ワットの半導体レーザー棒、808 nmの半導体レーザーの据えられていない棒
半導体のレーザーは今日の産業レーザー システムのほとんどのセンターピースです。ソリッド ステート レーザーの直接材料加工か、または光学ポンプは、繊維のレーザーまたはディスク レーザー、据えられていない単一のエミッターおよび棒ライトに電気エネルギーの最初の転換のための主要部分であるかどうか。
HTOEは1998年からの半導体ウエハーの技術に焦点を合わせましたり、635と1064nm間の波長で多重モードの高い発電を提供します。
変数（25℃）
| 変数 | 単位 | LDAC1-0808-0040 | |
| 光学変数 | 操作モード | - | CW |
| 出力電力Po | W | 40 | |
| 中心の波長のλc | nm | 808 ± 5 | |
| 幾何学的 | 要因を満たして下さい | - | 30% |
| 据えられていない単一のエミッターの数 | - | 19 | |
| 電気変数 | 斜面の効率Es | W/A | ≥1.1 |
| 境界の流れIのTh | A | ≤7 | |
| 動作電流If | A | ≤40 | |
| 操作電圧Vf | V | ≤2 | |
通知
1. 項目通知:LDAC1 （項目モデル） - **** （中心の波長） - **** （出力電力）。
2. データ用紙は25℃の下のテストの結果に基づいています。
3. データ用紙はCSのパッケージのテストに基づいています。
4. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。