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材料加工のグラウンド・コンディションで働く単一のエミッターの半導体レーザー

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材料加工のグラウンド・コンディションで働く単一のエミッターの半導体レーザー

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型式番号 :LDM-0830-001W-*2
原産地 :北京、中国
最低順序量 :50個
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1 ヶ月あたりの 1000 pc
受渡し時間 :10-20 営業日
包装の細部 :紙箱
出力パワー :1 ワット
Lasingの波長 :830±10 nm
動作電流 :≤1.3 A
動作電圧 :≤2.0 V
パッケージ :CoS/C台紙
溶接の温度 :≤ 260の℃
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830nm波長1ワットの出力電力包まれた単一のエミッターのダイオード レーザー

LDM-0830-001W-*2はHTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターのダイオードのレーザーです。それらはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。 中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064 nmを含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい

 

特徴:

  • 2つのパッケージの選択: CosおよびC台紙
  • 830nm中心の波長
  • 1ワット出力電力
  • 高い電気光学のeffiency
  • 高いreliablity

適用

  • 材料加工
  • 照明
  • DPSSレーザー ポンプ

変数(20℃)

 

CoS/C台紙によって包まれる単一のエミッター
変数 単位 LDM-0830-001W-*2
光学変数 出力電力 W 1
Lasingの波長 nm 830±10
分光幅 nm ≤3
区域の幅を出すこと µm 50
温度係数 nm/℃ 0.30
速い軸線の発散 deg <40
遅い軸線の発散 deg <10
電気変数 斜面の効率 W/A ≥1.03
境界の流れ A ≤0.30
動作電流 A ≤1.30
操作電圧 V ≤2.00
パッケージ - CoS/C台紙
実用温度 15 | 30
保管温度 -40 | 60
溶接の温度 ≤260
 
パッケージ情報

材料加工のグラウンド・コンディションで働く単一のエミッターの半導体レーザー

Cosのパッケージ

 

材料加工のグラウンド・コンディションで働く単一のエミッターの半導体レーザー

C台紙のパッケージ

 

機能カーブ

材料加工のグラウンド・コンディションで働く単一のエミッターの半導体レーザー

                                       P-I-Vのカーブの分光カーブ

 

通知

 

1. 項目モデル通知:LDM (項目モデル)、0830 (中心の波長)、001W (出力電力)、*2 (脱熱器構造および項目幅)。

2. シートのデータはすべてC台紙のパッケージ脱熱器テストに基づいています。

3. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

4.半導体レーザーはESDの敏感な装置、帯電防止手段準備されるべきですです。の前に場合を、よいグラウンド・コンディションを得るために確かめます取って下さい他ではレーザーの管はレーザーの管の失敗に終って静電気によって故障に、容易にあります。レーザーを使用した場合帯電防止リスト・ストラップを身に着けて下さい。

5。 レーザーの管は保たれてべきですまたは凝縮を防ぐために乾燥した環境ではたらいて凝縮はレーザーの管を傷つけるかもしれません。
6。高温で、それは境界の流れを高め、効率を下げ、そしてレーザーの管の老化を加速します。
7。指定変数、それより出力電力高いのレーザーの管の老化を加速する時。

 

 

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