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半導体単一の縦方向モード半導体レーザー高出力力は包んだ

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半導体単一の縦方向モード半導体レーザー高出力力は包んだ

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Brand Name :HTOE
Model Number :LDM-0915-010W-*3
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :50 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Output power :10 Watt
Lasing Wavelength :915±15 nm
Operating Current :≤11 A
Operating Voltage :≤2.2 V
Package :CoS/F-Mount
Welding Temperature :≤ 260 ℃
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915nm波長は10ワットの高出力力単一のエミッターのダイオード レーザーを包みました

LDM-0915-010W-*3は1種類のHTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターです、wはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064 nmを含んでいます。 パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい

 

特徴

  • 10ワットの高出力力
  • 915nm中心の波長
  • パッケージの選択:submount (CoS)およびF台紙の破片
  • 高い電気光学のeffiency
  • 高いreliablity

適用

  • 照明
  • 材料加工
  • レーザー ポンプ

変数(20℃)

 

CoS/F台紙によって包まれる単一のエミッター
変数 単位 LDM-0915-010W-*3
光学変数 出力電力 W 10
Lasingの波長 nm 915±15
分光幅 nm 10
区域の幅を出すこと µm 100
温度係数 nm/℃ 0.30
速い軸線の発散 deg <50
遅い軸線の発散 deg <10
電気変数 斜面の効率 W/A >1.0
境界の流れ A <0.8
動作電流 A ≤11.00
操作電圧 V ≤2.20
パッケージ - CoS/F台紙
実用温度 15 | 30
保管温度 -40 | 60
溶接の温度 ≤260
パッケージ情報

半導体単一の縦方向モード半導体レーザー高出力力は包んだ

Cosのパッケージ

半導体単一の縦方向モード半導体レーザー高出力力は包んだ

F台紙

 

 

機能カーブ

半導体単一の縦方向モード半導体レーザー高出力力は包んだ

                               P-I-Vのカーブの分光カーブ

 

通知

  1. 項目モデル通知:LDM (項目モデル)、0915 (中心の波長)、010W (出力電力)、*3 (脱熱器構造および項目幅)。
  2. シートのデータはすべてCosのパッケージのテストに基づいています。
  3. ESDの注意は単位を扱った場合取られなければなりません。

  4. レーザーの管は保たれてべきですまたは凝縮を防ぐために乾燥した環境ではたらいて凝縮はレーザーの管を傷つけるかもしれません。

  5. 高温で、それは境界の流れを高め、効率を下げ、そしてレーザーの管の老化を加速します。

  6. 指定変数、それより出力電力高いのレーザーの管の老化を加速する時。

  7. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

ESDの注意

 

ダイオードの失敗の第一次原因は予想外の静電放電です。装置失敗を防ぐのを助けるためには極度な心配の装置を扱うこと確実でであって下さい。ユーザーはダイオードのレーザーを扱った場合ESDのリスト・ストラップを常に身に着け、すべての適当な仕事表面をひき、帯電防止技術に続くべきです。

 

 

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