最新の価格を尋ねる
正会員
7 年
Add to Cart
808nm波長のポンプおよび医学の適用のための単一のエミッターのダイオード レーザー
包まれた単一のエミッターのダイオード レーザーはレーザ光線がダイオードの接続点で作成される発光ダイオードと同じような半導体デバイスです。電圧によって運転されて、半導体レーザーはライトに直接電気エネルギーを変えることができます。3つのパッケージ・デザインの選択によって、LDM-0808-003W-*3は取付け易くで、高い発電およびOEMの適用にそれに理想的な選択をするよい熱接触を提供します。
LDM-0808-003W-*3はQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーの1つのタイプのHTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターです。標準的な選択は台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に包まれる635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064のnmの中心の波長の単一のエミッターです。HTOEによって包まれる単一のエミッターのダイオードは顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームの提供によって優秀な信頼性および性能を提供します。
特徴
高いreliablity
高い電気光学のeffiency
変数（20℃）
| CoS/F Mount/C台紙によって包まれる単一のエミッター | |||
| 変数 | 単位 | LDM-0808-003W-*3 | |
| 光学変数 | 出力電力 | W | 3 |
| Lasingの波長 | nm | 808±5 | |
| 分光幅 | nm | ≤3 | |
| 区域の幅を出すこと | µm | 100 | |
| 温度係数 | nm/℃ | 0.3 | |
| 速い軸線の発散 | deg | <40 | |
| 遅い軸線の発散 | deg | <10 | |
| 電気変数 | 斜面の効率 | W/A | ≥1.00 |
| 境界の流れ | A | ≤0.70 | |
| 動作電流 | A | ≤3.30 | |
| 操作電圧 | V | ≤2.00 | |
| 他 | パッケージ | - | CoS/F Mount/C台紙 |
| 実用温度 | ℃ | 10 | 30 | |
| 保管温度 | ℃ | -40 | 60 | |
| 溶接の温度 | ℃ | ≤260 | |
Cosのパッケージ
F台紙
C台紙
機能カーブ
P-I-Vのカーブの分光カーブ
通知
ESDの注意は単位を扱った場合取られなければなりません。
乾燥した環境は包囲された露点の下の温度の開いたダイオード レーザー面を装置を貯えるか、または作動させた場合べきです与えられる。そうする失敗により単位の凝縮を引き起こし、それを破壊できます。
ESDの注意
ダイオードの失敗の第一次原因は予想外の静電放電です。装置失敗を防ぐのを助けるためには極度な心配の装置を扱うこと確実でであって下さい。ユーザーはダイオードのレーザーを扱った場合ESDのリスト・ストラップを常に身に着け、すべての適当な仕事表面をひき、帯電防止技術に続くべきです。