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よい熱接触の半導体レーザーモジュールの単一のエミッター3W 940nmの波長

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よい熱接触の半導体レーザーモジュールの単一のエミッター3W 940nmの波長

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Brand Name :HTOE
Model Number :LDM-0940-003W-*3
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :50 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Output power :3 Watt
Lasing Wavelength :940±10 nm
Operating Current :≤ 3.2 A
Operating Voltage :≤ 2.0 V
Package :F-Mount C-Mount CoS
Welding Temperature :≤ 260 ℃
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3W 940nmの波長の多数のパッケージの選択の単一のエミッターのダイオード レーザー

LDM-0940-003W-*3はQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づいていたHTOEのLDMシリーズに属します。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、9xxnmおよび1064 nmを含んでいます。パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい。

 

LDM-0940-003W-*3は電気でピン・ダイオードです。半導体レーザーの活動的な地域は本質的な(i)地域にあり、キャリアはそれぞれNおよびPの地域からのその地域に(電子および穴)ポンプでくまれます。簡単なP-Nのダイオードの最初のダイオード レーザーの研究が行なわれる間、すべての現代レーザーは組み変えおよびライト生成のためのチャンスを最大にするためにキャリアおよび光子が制限される二重hetero構造の実施を使用します。

 

特徴

  • 940nm中心の波長
  • 3ワット出力電力
  • パッケージ・デザインはCosの台紙、C台紙およびF台紙を含んでいます
  • 高い電気光学のeffiency
  • 高いreliablity

変数(20℃)

 

CoS/F Mount/C台紙によって包まれる単一のエミッター
変数 単位 LDM-0940-003W-*3
光学変数 出力電力 W 3
Lasingの波長 nm 940±10
分光幅 nm ≤3.5
区域の幅を出すこと µm 100
温度係数 nm/℃ 0.30
速い軸線の発散 deg <40
遅い軸線の発散 deg <10
電気変数 斜面の効率 W/A ≥1.00
境界の流れ A ≤0.65
動作電流 A ≤3.20
操作電圧 V ≤2.00
パッケージ - CoS/F Mount/C台紙
実用温度 15 | 30
保管温度 -40 | 60
溶接の温度 ≤260
 
パッケージ情報

よい熱接触の半導体レーザーモジュールの単一のエミッター3W 940nmの波長

Cosのパッケージ

よい熱接触の半導体レーザーモジュールの単一のエミッター3W 940nmの波長

F台紙

よい熱接触の半導体レーザーモジュールの単一のエミッター3W 940nmの波長

C台紙

 

機能カーブ

よい熱接触の半導体レーザーモジュールの単一のエミッター3W 940nmの波長

                      P-I-Vのカーブの分光カーブ

 

通知

  1. シートのデータはすべてC台紙のパッケージ脱熱器テストに基づいています。
  2. 項目モデル通知:LDM (項目モデル)、0940 (中心の波長)、003W (出力電力)、*3 (脱熱器構造および項目幅)。
  3. 乾燥した環境は包囲された露点の下の温度の開いたダイオード レーザー面を装置を貯えるか、または作動させた場合べきです与えられる。そうする失敗により単位の凝縮を引き起こし、それを破壊できます。

  4. 高温で、それは境界の流れを高め、効率を下げ、そしてレーザーの管の老化を加速します。

  5. 指定変数、それより出力電力高いのレーザーの管の老化を加速する時。

  6. 十分に使用されるレーザーの管の必要性熱または冷却状態で

  7. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。

 

 

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