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Cはポンプのためのパッケージの半導体レーザー、980 nmの単一のエミッターのダイオード レーザーを取付けます
HTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。標準的な選択は台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に包まれる635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064のnmの中心の波長の単一のエミッターです。 HTOEによって包まれる単一のエミッターのダイオードは顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームの提供によって優秀な信頼性および性能を提供します
。
LDM-0980-002W-*4によって包まれる単一のエミッターのダイオードはHTOEの標準的な半導体レーザーの1つです。HTOEは特定の要求に従ってsubmountのパッケージで顧客、C台紙のパッケージおよび破片に2つのパッケージの選択を提供します。 LDM-0980-002W-*4によって包まれる単一のエミッターのダイオード レーザーはポンプおよび直接ダイオードの適用のために発達します。
特徴
変数（20℃）
| CoS/C台紙によって包まれる単一のエミッター | |||
| 変数 | 単位 | LDM-0980-002W-*4 | |
| 光学変数 | 出力電力 | W | 2 |
| Lasingの波長 | nm | 980±10 | |
| 分光幅 | nm | ≤4 | |
| 区域の幅を出すこと | µm | 150 | |
| 温度係数 | nm/℃ | 0.30 | |
| 速い軸線の発散 | deg | < 30 | |
| 遅い軸線の発散 | deg | < 10 | |
| 電気変数 | 斜面の効率 | W/A | ≥1.00 |
| 境界の流れ | A | ≤0.50 | |
| 動作電流 | A | ≤2.30 | |
| 操作電圧 | V | ≤2.00 | |
| 他 | パッケージ | - | CoS/C台紙 |
| 実用温度 | ℃ | 15 | 30 | |
| 保管温度 | ℃ | -40 | 60 | |
| 溶接の温度 | ℃ | ≤260 | |
パッケージ情報
C台紙のパッケージ
Cosのパッケージ
機能カーブ
P-I-Vのカーブの分光カーブ
通知
ESDの注意は単位を扱った場合取られなければなりません。
乾燥した環境は包囲された露点の下の温度の開いたダイオード レーザー面を装置を貯えるか、または作動させた場合べきです与えられる。そうする失敗により単位の凝縮を引き起こし、それを破壊できます。