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808nm、2W出力電力Submountのパッケージの単一のエミッターのダイオード レーザー
HTOEのLDMC-0808-002W-A4はAlNのsubmountによって包まれる半導体レーザーです。最新式、量よのエピタキシアル層の成長および信頼できるリッジ導波管の構造に基づくFabry Perotレーザー。LDMC-0808-002W-A4は低い熱抵抗、eletrically隔離されたsubmountに取付けられ、ユーザー システムに容易な統合を可能にします。低い接合部温度および低い熱抵抗のパッケージは寿命を拡張し、reliablityを増加します。
LDMC-0808-002W-A4はHTOEのQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づいていた単一のエミッターの半導体レーザー シリーズに属します。HTOEによって包まれる単一のエミッターは優秀な信頼性および性能を提供します。中心の波長は635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、9xxnmおよび1064 nmを含んでいます。パッケージ・デザインは台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に含んでいます。顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームを提供して下さい。
特徴
·808nm中心の波長
·2W光学出力電力
·高い電気光学のeffiency
·高いreliablity
·Submountのパッケージ
変数（25℃）
| Submountは単一のエミッターを包みました | |||
| 変数 | 単位 | LDMC-0808-002W-A4 | |
| 光学変数 | 出力電力 | W | 2 |
| Lasingの波長 | nm | 808±5 | |
| 分光幅 | nm | ≤3 | |
| 区域の幅を出すこと | µm | 150 | |
| 温度係数 | nm/℃ | 0.3 | |
| 速い軸線の発散 | deg | <40 | |
| 遅い軸線の発散 | deg | <10 | |
| 電気変数 | 斜面の効率 | W/A | ≥1.00 |
| 境界の流れ | A | ≤0.50 | |
| 動作電流 | A | ≤2.10 | |
| 操作電圧 | V | ≤2.00 | |
| 他 | パッケージ | - | Submount |
| 実用温度 | ℃ | 15 | 35 | |
| 保管温度 | ℃ | -40 | 60 | |
| 溶接の温度 | ℃ | ≤260 | |
機能カーブ
P-I-Vのカーブの分光カーブ
通知
Cosの半導体レーザーの処理
C台紙のように、Cos （submountの破片）に破片か結束ワイヤー--に保護なしでさらされるレーザーがあります。ユーザーはこのタイプ パッケージの扱い、取付けで知識がありますべきです。Cosは他の光学部品が前部面への非常に近似性にある必要があるときまた大変望ましいです。AlNのsubmoutは熱の優秀なコンダクターですが、Cosは冷却を要求します。
安全情報
この半導体レーザーから出るレーザー光線は見えなかったりしかし人間の目に有害かもしれません。ビームへの目の露出を避けて下さい、指示し、反映しました。プロダクトは普通静電気放電、トランジェントおよび積み過ぎを含む敏感な電子デバイスによって関連付けられる危険に応じてあります。プロダクトを扱う前にESDの保護を保障して下さい。