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LPDDR4ソケット インターポーザーのための2.0mm HDI PCBsは4-2-4液浸の金を積み重ねる
DDR4は倍とDDR3の速度を作動させる。DDR4は低い作動の電圧（1.2V）および高い移動率で作動する。DDR4の移動率は2133である| 3200MT/s. DDR4は4人の新しい銀行団の技術を加える。各銀行団は単独操作の特徴がある。DDR4は時計サイクル内の4データを処理できる従ってDDR4の効率はDDR3よりよい。DDR4にDBI （データ・バス逆転）、データ・バスおよび命令/住所同等のCRC （巡回冗長検査）のようなある付加的な機能がある。これらの機能はDDR4記憶の信号の保全性を高め、データ伝送/アクセスの安定性を改善できる。DIMMの個々のドラムの独立したプログラミングはオン ダイスの終了のよりよい制御を可能にする。
2 . 指定:
| 名前 | 2.0mm LPDDR4インターポーザーPCBs |
| 層の数 | 4-2-4層 |
| 質等級 | IPC 6012のクラス2のIPC 6012のクラス3 |
| 材料 | 無鉛材料 |
| 厚さ | 2.0mm |
| 最低トラック/間隔 | 3/3mil |
| 最低の穴のサイズ | 0.075mmレーザーの訓練 |
| はんだのマスク | 緑 |
| シルクスクリーン | 白い |
| 表面の終わり | 液浸の金 |
| 終了する銅 | 1OZ |
| 調達期間 | 28-35日 |
| 速い回転サービス | はい |
1 . 記述:
DDR4実施のために必要とされるPCBのレイアウトの変更は何であるか。
DDR4か二重データ転送速度4は2つの明瞭なモジュールのタイプ入って来。So-DIMMか小さい輪郭のラップトップのような携帯用計算装置で使用中である二重インライン記憶モジュール（260ピン）。他のモジュールのタイプは卓上およびサーバーのような装置で使用中である二重インライン記憶モジュール（288ピン）またはDIMMである。
従って、建築の最初の変更は、当然、ピン・カウントが原因である。前の繰り返し（DDR3）はDIMMのために240ピンおよびSo-DIMMのために204ピンを使用する。前に述べられて、DDR4 DIMMの適用のために288ピンを使用する一方。ピンまたは接触の増加によって、DDR4は出力効率のより高いDIMM容量、高められたデータ保全、より速いダウンロードの速度および増加を提供する。
性能のこの全面的な改善に伴うことはまたよりよい可能にする曲げられた設計である（底は取付けの間に）、より安全な付属品およびそれを安定性および強さを改善する。また、DDR4は性能の50%の増加を提供し、3,200までMTs （毎秒にメガ移動）達成できることを確認するベンチチェックがある。
なお、それはより少ない力の使用にもかかわらず性能のこれらの増加を達成する;前任者の1.35ボルトの条件への1.5の代りの1.2ボルト（DIMMごとに）。これらの変更すべてはPCBデザイナーがDDR4の実施のための彼らの設計アプローチを再査定しなければならないことを意味する。