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PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707
適用
•DC/DCのコンバーター、リレー運転者、ランプの運転者、モーター運転者、フラッシュ
特徴
•FBETおよびMBITプロセスの採用。
•大きい現在のキャパシタンス。
•低いコレクターにエミッターの飽和電圧。
•高速切換え。
•高く正当な電力損失。
指定（）:2SA2040
| 変数 | 記号 | 条件 | 評価 | 単位 |
| コレクターに基盤の電圧 | VCBO | -- | （--50） 100 | V |
| コレクターにエミッターの電圧 | VCES | -- | （--50） 100 | V |
| コレクターにエミッターの電圧 | VCEO | -- | （--） 50 | V |
| エミッターに基盤の電圧 | VEBO | -- | （--） 6 | V |
| コレクター流れ | IC | -- | （--） 8 | |
| コレクター流れ（脈拍） | ICP | -- | （--） 11 | |
| 基礎流れ | IB | -- | （--） 2 | |
| コレクターの消滅 | PC |
-- Tc=25°C |
1.0 15 |
W W |
| 接合部温度 | Tj | -- | 150 | °C |
| 保管温度 | Tstg | -- | --55から+150 | °C |
| 変数 | 記号 | 条件 | min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB = （--） 40V、IE =0A | -- | -- | （--） 0.1 | µA |
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB = （--） 4V、IC =0A | -- | -- | （--） 0.1 | µA |
| DCの現在の利益 | hFE | VCE = （--） 2V、IC = （--） 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
| 利益帯域幅プロダクト | fT | VCE = （--） 10V、IC = （--） 500mA | -- | （290） 330 | -- | MHz |
| 出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB = （--） 10V、f=1MHz | -- | （50） 28 | -- | pF |
| コレクターにエミッター 飽和電圧 |
VCE （坐った） 1 VCE （坐った） 2 |
IC = （--） 3.5A、IB = （--） 175mA IC = （--） 2A、IB = （--） 40mA |
-- -- |
（--230） 160 （--240） 110 |
（--390） 240 （--400） 170 |
mV mV |
| 飽和基盤にEmitterr 電圧 | VBE （坐った） | IC = （--） 2A、IB = （--） 40mA | -- | （--） 0.83 | （--） 1.2 | V |
| コレクターに基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC = （--） 10µA、IE =0A | （--50） 100 | -- | -- | V |
| コレクターにエミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CES | IC = （--） 100µA、RBE =0Ω | （--50） 100 | -- | -- | V |
| コレクターにエミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC = （--） 1mAのRBEの=∞ | （--） 50 | -- | -- | V |
| エミッターに基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | IE = （--） 10µA、IC =0A | （--） 6 | -- | -- | V |
| Turn-On時間 | トン | Seeテスト回路を指定した。 | -- | （40） 30 | -- | ns |
| 貯蔵時間 | tstg | Seeテスト回路を指定した。 | -- | （225） 420 | -- | ns |
| 落下時間 | tf | Seeテスト回路を指定した。 | -- | 25 | -- | ns |
パッケージ次元 パッケージ次元
単位:mm 単位:mm
7518-003 7003-003
転換の時間テスト回路