ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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P4NK60ZFP力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター

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ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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P4NK60ZFP力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター

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型式番号 :P4NK60ZFP
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :8760pcs
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
絶縁材の抵抗電圧 :2500ボルト
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標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
MAX191BCWG+ 2338 格言 16+ SOIC-24
MAX1932ETC+T 3044 格言 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 チタニウム 13+ SOP-16
MAX232IDW 9003 チタニウム 11+ SOP-16
MAX253CSA+ 6562 格言 14+ SOP-8
MAX3051EKA+T 3853 格言 14+ SOT-23
MAX3061EEKA 4024 格言 15+ SOT23-8
MAX3070EESD 5557 格言 16+ SOP-14
MAX31865ATP+T 3707 格言 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 チタニウム 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 格言 16+ SSOP-20
MAX3232CPWR 5697 チタニウム 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 格言 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 チタニウム 16+ SOP-16
MAX3238ECPWR 8331 チタニウム 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 チタニウム 14+ SSOP-28
MAX3243ECDBR 6741 チタニウム 09+ SSOP-28
MAX32590-LNJ+ 553 格言 13+ NA
MAX3311CUB 2302 格言 16+ MSOP-10
MAX3311EEUB 2324 格言 16+ MSOP-10
MAX3442EEPA+ 3095 格言 16+ DIP-8
MAX3442EESA+T 5829 格言 16+ SOP-8
MAX3486CSA 15889 格言 16+ SOP-8
MAX3490CSA+ 11077 格言 13+ SOP-8
MAX4080SASA+T 15089 格言 16+ SOP-8
MAX418CPD 3034 格言 14+ DIP-14
MAX4624EZT 15171 格言 16+ SOT23-6
MAX4663CAE 2151 格言 16+ SSOP-16
MAX472CPA 4115 格言 15+ DIP-8
MAX491CPD+ 14840 格言 16+ DIP-14

STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

SuperMESH™Power Zener保護されたMOSFET

典型的なRDSの() = 1.76のΩ

■非常に高いdv/dtの機能

■100%のなだれはテストした

■ゲート充満は最小になった

■まさに低く本質的なキャパシタンス

■まさによい製造REPEATIBILITY

記述

SuperMESH™シリーズはSTの確立したstripbased PowerMESH™のレイアウトの極度な最適化によって得られる。オン抵抗をかなり押下げることに加えて最もデマンドが高い適用のための非常によいdv/dtの機能を保障するために、特別な注意は取られる。そのようなシリーズはMDmesh™革命的なプロダクトを含む高圧MOSFETsのフル レンジSTを補足する。

適用

高い流れ、高速切換え

■オフ・ラインの電源、アダプターおよびPFCのための理想

■照明

絶対最高評価

記号 変数 価値 単位

STP4NK60Z

STB4NK60Z

STB4NK60Z-1

STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

STD4NK60Z-1

VDS 下水管源の電圧(VGS = 0) 600 V
VDGR 下水管ゲートの電圧(RGS = 20 kΩ) 600 V
VGS ゲート源電圧 ± 30 V
ID 現在を(連続的)でTC = 25°C流出させなさい 4 4 (*) 4
ID 現在を(連続的)でTC = 100°C流出させなさい 2.5 2.5 (*) 2.5
IDM (•か。) 下水管の流れ(脈打つ) 16 16 (*) 16
PTOT 総消滅のTC = 25°C 70 25 70 W
要因の軽減 0.56 0.2 0.56 With°C
VESD (G-S) ゲートの源ESD (HBM-C=100pF、R=1.5KΩ) 3000 V
dv/dt (1) ピーク ダイオードの回復電圧斜面 4.5 V/ns
VISO 絶縁材の抵抗電圧(DC) - 2500 - V

Tj

Tstg

作動の接合部温度

保管温度

-55から150

-55から150

°C

(•か。か。)安全運転区域限られる脈拍幅

(1) ISD ≤4A、di/dt ≤200A/µsのVDDの≤ V (BR) DSSのTjの≤ TJMAX。

(*)割り当てられた最高温度がによってだけ限った

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