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FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET
概説
これらのN-Channelの論理のレベルのMOSFETsはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度のPowerTrenchプロセスを使用して。
これらの装置は低電圧および低いインライン電源切れおよび速い切換えが要求される電池式の適用のためにうってつけである。
特徴
·7.5 A、30 V. RDS （） = 18 MW @ VGS = 10ボルト
RDS （） = 23 MW @ VGS = 4.5ボルト
·速い切り替え速度
·低いゲート充満
·極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
·高い発電および現在の処理の機能
通知がなければ絶対最高評価TA =25℃
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 30 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ± 20 | V |
| ID |
現在を–連続的流出させなさい（ノート1a） –脈打つ |
7.5 | |
| 20 | |||
| PD |
半二重操作（ノート1a）のための電力損失 （ノート1b） （ノート1c） |
1.6 | W |
| 1.0 | |||
| 0.9 | |||
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55から+150 | ℃ |
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| G5V-1-DC9 | 6255 | OMRON | 15+ | すくい |
| G5V-2-12VDC | 7727 | OMRON | 14+ | すくい |
| G60N100BNTD | 3498 | フェアチャイルド | 13+ | TO-264 |
| G65SC51P-2 | 6939 | CMD | 16+ | DIP-28 |
| G6K-2F-Y-5VDC | 10509 | OMRON | 13+ | SOP-8 |
| GAL16V8D-25LP | 5311 | 格子 | 16+ | DIP-20 |
| GBL08-E3/51 | 13704 | VISHAY | 14+ | DIP-4 |
| GBPC3508W-E4/51 | 8669 | VISHAY | 16+ | DIP-4 |
| GBU408 | 90000 | 9月 | 13+ | ZIP-4 |
| GBU6K | 14556 | LRC | 13+ | SIP-4 |
| GBU8M | 17593 | VISHAY | 15+ | DIP-4 |
| GE865-QUAD | 1285 | TELIT | 14+ | GPRS |
| GIPS20K60 | 2254 | ST | 13+ | モジュール |
| GL34A | 4000 | DIOTEC | 13+ | DO-213AA |
| GL41D | 20000 | GS | 13+ | LL41 |
| GL852G-MNG12 | 7574 | GENESYS | 15+ | LQFP-48 |
| GL865は二倍になる | 1174 | TELIT | 10+ | GPRS |
| GLL4760-E3/97 | 24000 | VISHAY | 10+ | NA |
| GP1S094HCZ0F | 5752 | シャープ | 13+ | DIP-4 |
| GS2978-CNE3 | 2125 | GENNUM | 15+ | QFN16 |
| GS2984-INE3 | 1336 | GENNUM | 13+ | QFN |
| GS2988-INE3 | 6693 | GENNUM | 16+ | QFN16 |
| GS3137-08-TAZ | 2008年 | コネクサント | 09+ | TSSOP |
| GSIB2580-E3/45 | 4938 | VISHAY | 16+ | GSIB-5S |
| GSOT03C-GS08 | 7000 | VISHAY | 15+ | SOT-23 |
| GVA-63+ | 8824 | 小型 | 15+ | SOT-23 |
| GVA-84+ | 4397 | 小型 | 14+ | SOT-89 |
| H11AA1SR2M | 14966 | フェアチャイルド | 14+ | SOP-6 |
| H11AA4 | 15037 | フェアチャイルド | 14+ | すくい |
| H11AG1SR2M | 4006 | フェアチャイルド | 14+ | SOP-6 |