ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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新しい/元のNPN両極力Mosfetのトランジスター120ボルト2N1893 0.5 Ampsの

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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新しい/元のNPN両極力Mosfetのトランジスター120ボルト2N1893 0.5 Ampsの

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型式番号 :2N1893
原産地 :元の工場
最低順序量 :100pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :8000
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい。
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新しい/元のNPN両極力Mosfetのトランジスター120ボルト2N1893 0.5 Ampsの
最高の評価

評価記号MAX.

単位

Collector-Emitter電圧VCEO80Vdc
Collector-Emitter電圧VCER100Vdc
Collector-Base電圧VCBO120Vdc
Emitter-Base電圧VEBO7.0Vdc
連続的なコレクター流れ-IC0.5Adc
総装置消滅@ Tは25oCの上でA = 25oC軽減するPD

0.8
4.57

ワットmW/oC
総装置消滅@ Tは25oCの上でC = 25oC軽減するPD

3.0
17.2

ワットmW/oC
実用温度範囲TJ-55から+200oc
保管温度の範囲TS-55から+200oc
熱抵抗、包囲されたへの接続点RqJA219oC/W
熱抵抗、包装するべき接続点RqJA58oC/W


機械輪郭

電気変数(TA @ 25°C他に特に規定がなければ)
特徴記号MIN.タイプ。MAX.単位
特徴を離れて
Collector-Emitterの絶縁破壊電圧(I C = 100 mAdc、RBE = 10オーム) (1)BVCER100 --
Collector-Emitterの支える電圧(1) (I C = 30 mAdc、IB = 0) (1)BVCEO 80 --
Collector-Baseの絶縁破壊電圧(I C = 100 mAdc、IE = 0)BV (BR) CBO120 --Vdc
Emitter-Base絶縁破壊電圧(IE = 100 mAdc、IC = 0)BV (BR) CBO7.0 --
コレクタ遮断電流(V CB = 90 Vdc、IE = 0) (V CB = 90 Vdc、IE = 0、TA = C) 150oICBO

--
--

0.01
15

mAdc
エミッターの締切りの流れ(VEB = 5.0 Vdc、IC = 0)IEBO

--

0.01mAdc
特徴
D.C. 現在の利益(IC = 0.1のmAdc、VCE = 10 Vdc) (I C = 10mAdc、VCE = 10 Vdc) (1) (I C = 10mAdc、VCE = 10 Vdc、TA = C) (1) -55o (I C = 150mAdc、VCE = 10 Vdc) (1)hFE

20
35
20
40

--
--
--
120

--
Collector-Emitterの飽和電圧(1) (IC = 150 mAdc、IB = 15 mAdc)VCE (土曜日)-- 0.5Vdc
Base-Emitterの飽和電圧(1) (IC = 150 mAdc、IB = 15 mAdc)VCE (土曜日)-- 1.3Vdc
小さい信号の短絡の先に流動比率の大きさ (I C = 50 mAdc、VCE = 10 Vdc、f = 20のMHz)/hfe/3 10
出力キャパシタンス(V CB = 10のVdc、IE = 0、f = 1.0 MHz)COBO5 15pF
入れられたインピーダンス= (I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0kHz)hib4.0 8.0オーム
電圧フィードバックの比率(I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz)hrb-- 1.5X 10-4
Small-Signal現在の利益(I c = 1.0 mAdc、VcB = 5.0Vdc、f = 1.0 kHz) (I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz)hfe

35
45

100
--

--
出力アドミタンス(I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz)歯切り工具

--
--

0.5mmho
脈拍応答(Vcc = 20Vdc、IC = 500mAdc)トン+ tof-- 30ns


(1)脈拍テスト:脈拍幅の£ 300氏の使用率の£ 2.0%。

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